Mitsubishi Electric và Nexperia hợp tác phát triển chất bán dẫn điện SiC

Mitsubishi Electric và Nexperia hợp tác phát triển chất bán dẫn điện SiC

Nút nguồn: 3044417

13 tháng mười một 2023

Tập đoàn Mitsubishi Electric có trụ sở tại Tokyo đang hợp tác chiến lược với nhà thiết kế và sản xuất thiết bị rời Nexperia BV ở Nijmegen, Hà Lan (một công ty con của Wingtech Technology Co Ltd) để cùng phát triển chất bán dẫn điện silicon cacbua (SiC) cho thị trường điện tử công suất. Mitsubishi Electric sẽ tận dụng các công nghệ bán dẫn băng thông rộng của mình để phát triển và cung cấp chip SiC MOSFET mà Nexperia sẽ sử dụng để phát triển các thiết bị rời SiC.

Sự mở rộng toàn cầu của thị trường xe điện đang giúp thúc đẩy sự tăng trưởng theo cấp số nhân của chất bán dẫn điện SiC, mang lại mức thất thoát năng lượng thấp hơn, nhiệt độ vận hành cao hơn và tốc độ chuyển đổi nhanh hơn so với chất bán dẫn năng lượng silicon thông thường. Hiệu suất cao của chất bán dẫn điện SiC được kỳ vọng sẽ góp phần đáng kể vào quá trình khử cacbon và chuyển đổi xanh toàn cầu.

Mitsubishi Electric tuyên bố rằng họ đã thiết lập được vị trí dẫn đầu trong các ứng dụng như tàu cao tốc, ứng dụng công nghiệp điện áp cao và thiết bị gia dụng, sau khi tung ra mô-đun nguồn SiC đầu tiên cho máy điều hòa không khí vào năm 2010 và trở thành nhà cung cấp nguồn điện toàn SiC đầu tiên mô-đun cho tàu cao tốc Shinkansen vào năm 2015. Mitsubishi Electric cho biết họ đã tích lũy kiến ​​thức chuyên môn trong việc phát triển và sản xuất mô-đun nguồn SiC, vốn nổi tiếng với hiệu suất tiên tiến và độ tin cậy cao.

Trong tương lai, Mitsubishi Electric kỳ vọng sẽ tăng cường quan hệ đối tác với Nexperia, công ty có thiết bị được sử dụng trong thị trường ô tô, công nghiệp, di động và tiêu dùng, góp phần khử cacbon và phát triển bền vững. Mitsubishi Electric đặt mục tiêu tiếp tục cải thiện hiệu suất và chất lượng của chip SiC, đồng thời tập trung phát triển các mô-đun nguồn sử dụng công nghệ mô-đun độc quyền.

“This mutually beneficial strategic partnership with Mitsubishi Electric represents a significant stride in Nexperia’s silicon carbide journey,” believes Mark Roeloffzen, senior VP & general manager of Nexperia’s Bipolar Discretes business group. “Mitsubishi Electric has a strong track record as a supplier of technically proven SiC device and modules. Combined with Nexperia’s high quality standards and expertise in discrete products and packaging, we will certainly generate positive synergies between both companies – ultimately enabling our customers to deliver highly energy-efficient products in the industrial, automotive or consumer markets they serve,” he adds.

Masayoshi Takemi, giám đốc điều hành & chủ tịch nhóm, Chất bán dẫn & Thiết bị tại Mitsubishi Electric, nhận xét: “Nexperia là công ty hàng đầu trong lĩnh vực công nghiệp với các công nghệ đã được chứng minh về chất bán dẫn rời rạc chất lượng cao”. “Chúng tôi rất vui mừng được tham gia vào mối quan hệ hợp tác hợp tác phát triển này nhằm thúc đẩy công nghệ bán dẫn của cả hai công ty.”

Xem các mục liên quan:

Vishay mua lại Newport Wafer Fab của Nexperia với giá 177 triệu USD

DENSO và Mitsubishi Electric đầu tư 1 tỷ USD vào hoạt động kinh doanh cacbua silic của Coherent

Nexperia và KYOCERA AVX Salzburg hợp tác sản xuất mô-đun chỉnh lưu SiC 650V cho các ứng dụng điện

Coherent và Mitsubishi Electric hợp tác để sản xuất quy mô thiết bị điện tử công suất cacbua silic

Mitsubishi Electric xây dựng nhà máy SiC 8 inch mới để tăng cường sản xuất bán điện

Nexperia mở rộng phạm vi băng thông rộng bằng cách thâm nhập thị trường diode cacbua silic công suất cao

tags: Điện Mitsubishi MOSFET nguồn SiC

Truy cập: www.nexperia.com

Truy cập: www.mitsubishielectric.com/semiconductors/powerdevices

Dấu thời gian:

Thêm từ Bán dẫn ngày nay