NEC entwickelt Hochgeschwindigkeits-Leistungsverstärker mit hoher Kapazität für Netzwerke der nächsten Generation

TOKIO, 19. Januar 2023 – (JCN Newswire) – NEC Corporation (NEC; TSE: 6701) hat einen Leistungsverstärker entwickelt, der als Schlüsselgerät für mobilen Zugang und drahtlose Fronthaul/Backhaul-Kommunikationsgeräte dienen wird, um Hochgeschwindigkeits- und Hochgeschwindigkeitskommunikation zu ermöglichen -Kapazitätskommunikation für 5G Advanced- und 6G-Netzwerke. Dieser Leistungsverstärker nutzt GaAs-Technologie, die in Massenproduktion hergestellt werden kann und die weltweit höchste Ausgangsleistung (*) von 10 mW im 150-GHz-Band erreicht hat. NEC nutzt dies und möchte sowohl die Geräteentwicklung als auch die soziale Umsetzung beschleunigen.

Neu entwickelter D-Band-Leistungsverstärker

Es wird erwartet, dass 5G Advanced und 6G eine Hochgeschwindigkeitskommunikation der 100-Gbit/s-Klasse mit hoher Kapazität liefern, was der 10-fachen Geschwindigkeit des aktuellen 5G entspricht. Dies kann effektiv durch die Verwendung des Sub-Terahertz-Bandes (100 bis 300 GHz) erreicht werden, das eine große Bandbreite von 10 GHz oder mehr bereitstellen kann. Insbesondere wird eine baldige Kommerzialisierung des D-Bands (130 bis 174.8 GHz) erwartet, das international für feste drahtlose Kommunikation zugewiesen ist.

NEC macht weiterhin Fortschritte in der technologischen Entwicklung, indem es sein Wissen über Hochfrequenzbänder nutzt, das durch die Entwicklung und den Betrieb von Funkgeräten für 5G-Basisstationen und PASOLINK, ein ultrakompaktes Mikrowellen-Kommunikationssystem, das Basisstationen über drahtlose Kommunikation verbindet, kultiviert wurde.

Der neu entwickelte Leistungsverstärker verwendet einen kommerziell erhältlichen 0.1-μm-Pseudomorphic-High-Electron-Mobility-Transistor (pHEMT)-Prozess aus Galliumarsenid (GaAs). Im Vergleich zu CMOS und Silizium-Germanium (SiGe), die für das Sub-Terahertz-Band verwendet werden, haben GaAs-PHEMTs eine hohe Betriebsspannung und niedrigere Anschaffungskosten für die Massenproduktion.

Im Hinblick auf das Schaltungsdesign eliminiert dieser Leistungsverstärker Faktoren, die die Leistung im Hochfrequenzband beeinträchtigen, und verwendet eine Impedanzanpassungsnetzwerkkonfiguration, die für hohe Ausgangsleistungen geeignet ist. Dadurch konnten hervorragende Hochfrequenzeigenschaften zwischen 110 GHz und 150 GHz sowie die weltweit höchste Ausgangsleistung für einen GaAs-pHEMT erreicht werden.

Neben der Realisierung von leistungsstarken, kostengünstigen Funkkommunikationsgeräten über 100 GHz wird dieser Leistungsverstärker die soziale Implementierung von 5G Advanced und 6G beschleunigen.

In Zukunft wird NEC weiterhin Technologien entwickeln, die darauf abzielen, drahtlose Kommunikation mit hoher Geschwindigkeit, hoher Kapazität und Kosteneffizienz für 5G Advanced und 6G zu erreichen.

Diese Forschung wird vom japanischen Ministerium für innere Angelegenheiten und Kommunikation unterstützt (JPJ000254).

NEC wird weitere Einzelheiten zu dieser Technologie auf der IEEE Topical Conference on RF/Microwave Power Amplifiers for Radio and Wireless Applications (PAWR2023) bekannt geben, einer internationalen Konferenz, die am 22. Januar 2023 in Las Vegas, Nevada, USA, stattfinden soll.

(*) Laut NEC-Forschung, Stand: 19. Januar 2023.

Über die NEC Corporation

Die NEC Corporation hat sich als führendes Unternehmen bei der Integration von IT- und Netzwerktechnologien etabliert und fördert gleichzeitig die Markenaussage „Orchestrating a Brighter World“. NEC ermöglicht es Unternehmen und Gemeinden, sich an die schnellen Veränderungen in der Gesellschaft und auf dem Markt anzupassen, indem es die sozialen Werte Sicherheit, Gerechtigkeit und Effizienz wahrt und so eine nachhaltigere Welt fördert, in der jeder die Chance hat, sein volles Potenzial auszuschöpfen. Weitere Informationen finden Sie bei NEC unter www.nec.com.

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• Quelle: https://www.jcnnewswire.com/pressrelease/80564/3/