NEC entwickelt Hochgeschwindigkeits-Leistungsverstärker mit hoher Kapazität für Netzwerke der nächsten Generation

TOKIO, 19. Januar 2023 – (JCN Newswire) – Die NEC Corporation (NEC; TSE: 6701) hat einen Leistungsverstärker entwickelt, der als Schlüsselgerät für mobile Zugangs- und Fronthaul/Backhaul-Funkkommunikationsgeräte dienen wird, um hohe Geschwindigkeiten zu ermöglichen -Kommunikationskapazität für 5G Advanced- und 6G-Netze. Dieser Leistungsverstärker nutzt die massenproduzierbare GaAs-Technologie und hat im 10-GHz-Band die weltweit höchste Ausgangsleistung(*) von 150 mW erreicht. NEC nutzt dies, um sowohl die Geräteentwicklung als auch die soziale Umsetzung zu beschleunigen.

Neu entwickelter D-Band-Leistungsverstärker

Es wird erwartet, dass 5G Advanced und 6G eine Hochgeschwindigkeitskommunikation der 100-Gbit/s-Klasse mit hoher Kapazität liefern, was der 10-fachen Geschwindigkeit des aktuellen 5G entspricht. Dies kann effektiv durch die Verwendung des Sub-Terahertz-Bandes (100 bis 300 GHz) erreicht werden, das eine große Bandbreite von 10 GHz oder mehr bereitstellen kann. Insbesondere wird eine baldige Kommerzialisierung des D-Bands (130 bis 174.8 GHz) erwartet, das international für feste drahtlose Kommunikation zugewiesen ist.

NEC macht weiterhin Fortschritte in der technologischen Entwicklung, indem es sein Wissen über Hochfrequenzbänder nutzt, das durch die Entwicklung und den Betrieb von Funkgeräten für 5G-Basisstationen und PASOLINK, ein ultrakompaktes Mikrowellen-Kommunikationssystem, das Basisstationen über drahtlose Kommunikation verbindet, kultiviert wurde.

Der neu entwickelte Leistungsverstärker verwendet einen kommerziell erhältlichen 0.1-μm-Pseudomorphic-High-Electron-Mobility-Transistor (pHEMT)-Prozess aus Galliumarsenid (GaAs). Im Vergleich zu CMOS und Silizium-Germanium (SiGe), die für das Sub-Terahertz-Band verwendet werden, haben GaAs-PHEMTs eine hohe Betriebsspannung und niedrigere Anschaffungskosten für die Massenproduktion.

In Bezug auf das Schaltungsdesign eliminiert dieser Leistungsverstärker Faktoren, die die Leistung im Hochfrequenzband beeinträchtigen, und verwendet eine Netzwerkkonfiguration mit Impedanzanpassung, die für hohe Ausgangsleistung geeignet ist. Dadurch wurden hervorragende Hochfrequenzeigenschaften zwischen 110 GHz und 150 GHz sowie die weltweit höchste Ausgangsleistung für einen GaAs pHEMT erreicht.

Neben der Realisierung von leistungsstarken, kostengünstigen Funkkommunikationsgeräten über 100 GHz wird dieser Leistungsverstärker die soziale Implementierung von 5G Advanced und 6G beschleunigen.

In Zukunft wird NEC weiterhin Technologien entwickeln, die darauf abzielen, drahtlose Kommunikation mit hoher Geschwindigkeit, hoher Kapazität und Kosteneffizienz für 5G Advanced und 6G zu erreichen.

Diese Forschung wird vom japanischen Ministerium für innere Angelegenheiten und Kommunikation unterstützt (JPJ000254).

NEC wird weitere Einzelheiten zu dieser Technologie auf der IEEE Topical Conference on RF/Microwave Power Amplifiers for Radio and Wireless Applications (PAWR2023) bekannt geben, einer internationalen Konferenz, die am 22. Januar 2023 in Las Vegas, Nevada, USA, stattfinden soll.

(*) Laut NEC-Forschung, Stand: 19. Januar 2023.

Über die NEC Corporation

Die NEC Corporation hat sich als führendes Unternehmen in der Integration von IT- und Netzwerktechnologien etabliert und gleichzeitig die Markenaussage „Orchestrierung einer helleren Welt“ gefördert. NEC ermöglicht es Unternehmen und Gemeinschaften, sich an die schnellen Veränderungen in Gesellschaft und Markt anzupassen, da es die sozialen Werte Sicherheit, Fairness und Effizienz berücksichtigt, um eine nachhaltigere Welt zu fördern, in der jeder die Chance hat, sein volles Potenzial auszuschöpfen. Weitere Informationen finden Sie unter www.nec.com.

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• Quelle: https://www.jcnnewswire.com/pressrelease/80564/3/