KERI chuyển giao công nghệ đánh giá cấy ghép ion bán dẫn điện SiC cho SEMILAB của Hungary

Được xuất bản lại bởi Plato

Người theo dõi: 0

8 Tháng Chín 2023

Viện Nghiên cứu Công nghệ Điện tử Hàn Quốc (KERI) — được tài trợ bởi Hội đồng Nghiên cứu Khoa học & Công nghệ Quốc gia (NST) của Bộ Khoa học và CNTT Hàn Quốc — đã chuyển giao công nghệ cấy và đánh giá ion cho chất bán dẫn điện cacbua silic (SiC) sang thiết bị đo lường hãng SEMILAB ZRT của Budapest, Hungary.

Trong khi chất bán dẫn điện SiC có nhiều ưu điểm thì quá trình sản xuất lại rất khó khăn. Trước đây, phương pháp này là tạo ra một thiết bị bằng cách tạo thành một lớp epiticular trên một tấm bán dẫn có tính dẫn điện cao và dòng điện chạy qua khu vực đó. Tuy nhiên, trong quá trình này, bề mặt của lớp biểu bì trở nên gồ ghề và tốc độ truyền điện tử giảm xuống. Bản thân giá của epiwafer cũng cao, đây là trở ngại lớn cho việc sản xuất hàng loạt.

Để giải quyết vấn đề này, KERI đã sử dụng phương pháp cấy các ion vào tấm wafer SiC bán cách điện không có lớp epilayer để làm cho tấm wafer có tính dẫn điện.

Vì vật liệu SiC cứng nên chúng yêu cầu cấy ion năng lượng rất cao, sau đó xử lý nhiệt ở nhiệt độ cao để kích hoạt các ion, khiến đây trở thành một công nghệ khó thực hiện. Tuy nhiên, KERI cho biết, dựa trên 10 năm kinh nghiệm vận hành thiết bị cấy ion dành riêng cho SiC, họ đã thành công trong việc thiết lập các công nghệ liên quan.

Thứ hai từ trái sang, Tiến sĩ Bahng Wook, giám đốc điều hành Bộ phận Nghiên cứu Chất bán dẫn Điện của KERI; thứ ba từ trái sang, Park Su-yong, Giám đốc điều hành của Semilab Korea Co Ltd.

Ảnh: Thứ hai từ trái sang, Tiến sĩ Bahng Wook, giám đốc điều hành Bộ phận Nghiên cứu Chất bán dẫn Điện của KERI; thứ ba từ trái sang, Park Su-yong, Giám đốc điều hành của Semilab Korea Co Ltd.

Tiến sĩ Kim Hyoung Woo, giám đốc Trung tâm nghiên cứu chất bán dẫn tiên tiến, KERI cho biết: “Công nghệ cấy ion có thể giảm đáng kể chi phí xử lý bằng cách tăng dòng điện trong các thiết bị bán dẫn và thay thế các tấm epiwafer đắt tiền”. “Đây là công nghệ giúp tăng khả năng cạnh tranh về giá của chất bán dẫn điện SiC hiệu suất cao và góp phần lớn vào việc sản xuất hàng loạt”.

Công nghệ này gần đây đã được chuyển giao cho SEMILAB, công ty có nhà máy sản xuất ở Hungary và Mỹ. Với lịch sử 30 năm, SEMILAB sở hữu bằng sáng chế cho thiết bị đo lường chính xác cỡ trung bình và thiết bị mô tả đặc tính vật liệu, đồng thời sở hữu công nghệ cho hệ thống đánh giá thông số điện bán dẫn.

Tấm wafer SiC bán cách điện.

Hình ảnh: Tấm wafer SiC bán cách điện.

Các công ty kỳ vọng rằng, thông qua chuyển giao công nghệ, họ sẽ có thể tiêu chuẩn hóa SiC chất lượng cao. SEMILAB có kế hoạch sử dụng công nghệ của KERI để phát triển thiết bị chuyên dụng nhằm đánh giá quá trình cấy ion cho chất bán dẫn điện SiC. “Thông qua việc phát triển các thiết bị chuyên dụng, chúng tôi sẽ có thể tiến hành giám sát nội tuyến các quy trình cấy ghép trên các tấm SiC để kiểm soát việc sản xuất ngay lập tức, chính xác và chi phí thấp đối với các hệ thống cấy ghép cũng như giám sát nội tuyến đối với cấy ghép trước khi ủ,” cho biết Park Su-yong, chủ tịch SEMILAB Hàn Quốc. “Đây sẽ là nền tảng tuyệt vời để đảm bảo ổn định quy trình sản xuất hàng loạt cấy ion chất lượng cao với tính đồng nhất và khả năng tái tạo tuyệt vời.”

tags: Thiết bị SiC Năng lượng điện máy cấy ion

Truy cập: www.semilab.com

Truy cập: www.keri.re.kr/html/en