Memristors Boron Nitride lục giác với điện cực niken: Cơ chế dẫn điện hiện tại & Hành vi chuyển đổi điện trở (RWTH Aachen)

Các nhà nghiên cứu tại Đại học RWTH Aachen và Viện Peter Gruenberg đã xuất bản một bài báo kỹ thuật mới có tiêu đề “Chuyển mạch điện trở và cơ chế dẫn dòng điện trong các màng điện trở ngưỡng Boron Nitrua hình lục giác với các điện cực niken”.

Tóm tắt:

“Vật liệu cách điện 2D boron nitride hình lục giác (h-BN) đã thu hút nhiều sự chú ý với vai trò là môi trường hoạt động trong các thiết bị memristive do các đặc tính vật lý thuận lợi của nó, trong số những đặc tính khác, một dải thông rộng cho phép cửa sổ chuyển mạch lớn. Sự hình thành dây tóc kim loại thường được đề xuất cho các thiết bị h-BN dưới dạng cơ chế chuyển mạch điện trở (RS), thường được hỗ trợ bởi các phương pháp chuyên dụng cao như kính hiển vi lực nguyên tử dẫn điện (C-AFM) hoặc kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM). Ở đây, việc chuyển đổi các memristor ngưỡng boron nitride (h-BN) đa lớp với hai điện cực niken (Ni) được nghiên cứu thông qua các cơ chế dẫn hiện tại của chúng. Cả trạng thái điện trở cao và thấp đều được phân tích thông qua các phép đo điện áp dòng điện phụ thuộc vào nhiệt độ. Sự hình thành và rút lại của các sợi niken dọc theo các khuyết tật boron trong màng h-BN khi cơ chế chuyển mạch điện trở được đề xuất. Dữ liệu điện được chứng thực bằng các phân tích TEM để thiết lập các phép đo điện áp dòng điện phụ thuộc vào nhiệt độ như một công cụ có giá trị để phân tích các hiện tượng chuyển mạch điện trở trong các memristor làm bằng vật liệu 2D. Các memristor thể hiện phạm vi hoạt động dòng điện rộng và có thể điều chỉnh được cũng như dòng điện dự phòng thấp, phù hợp với công nghệ tiên tiến nhất trong các công tắc ngưỡng dựa trên h-BN, độ biến thiên giữa các chu kỳ thấp là 5% và khả năng Bật lớn. /tỷ lệ tắt của 10⁷".

Tìm giấy kỹ thuật ở đây. Xuất bản tháng 2023 năm XNUMX.

Volkel, L., Braun, Đ., Belet, M., Kataria, S., Wahlbrink, T., Thứ hạng., Kistermann, K., Mayer, J., Menzel, S., Daus, A., Để tôi, MC, Cơ chế chuyển mạch điện trở và dẫn dòng điện trong các Memristor ngưỡng Boron Nitrua lục giác với các điện cực Niken. Tư vấn. Func. Vật chất. 2023, 2300428. https://doi.org/10.1002/adfm.202300428.

• Phân phối nội dung và PR được hỗ trợ bởi SEO. Được khuếch đại ngay hôm nay.
• PlatoAiStream. Thông minh dữ liệu Web3. Kiến thức khuếch đại. Truy cập Tại đây.
• Đúc kết tương lai với Adryenn Ashley. Truy cập Tại đây.
• Mua và bán cổ phần trong các công ty PRE-IPO với PREIPO®. Truy cập Tại đây.
• nguồn: https://semiengineering.com/hexagonal-boron-nitride-memristors-with-nickel-electrodes-current-conduction-mechanisms-resistive-switching-behavior-rwth-aachen/