CGD、PCB 再レイアウトなしで既存の設計で ICeGaN HEMT を試すためのアプリケーション インターフェイス ボードを導入

ニュース： マイクロエレクトロニクス

２０１９年５月２９日

Cambridge GaN Devices Ltd (CGD) は、2016 年にケンブリッジ大学工学部の電力およびエネルギー変換グループから独立し、GaN オンシリコン基板を使用するパワー トランジスタおよび IC の設計、開発、商品化を行っています。一連のアプリケーション インターフェイス ボードを使用すると、設計者は、PCB を再レイアウトすることなく、競合する MOSFET または GaN デバイスの代わりに、既存の回路で ICeGaN 高電子移動度トランジスタ (HEMT) を試すことができます。

アプリケーション インターフェイス ボードは、ICeGaN デバイスにはんだ付けされるアダプタ PCB で、ICeGaN HEMT フットプリントの各ピン/信号を代替コンポーネント フットプリントの対応するピン/信号にマッピングします。

「これらのアプリケーション インターフェイス ボードは、もちろん設計と評価のみを目的として設計されています。これは、ユーザーが当社の ICeGaN IC の 1 つを既存の設計に組み込めるようにするための迅速な最初のステップです」とアプリケーション エンジニアリング ディレクターの Peter Comiskey 氏は述べています。 「熱性能には若干の影響がありますが、EMC や電気性能には驚くほど差がありません。」

CGD は、大手 MOSFET および GaN デバイス メーカーの多数の業界標準デバイス用のアプリケーション インターフェイス ボードを提供しています。完全なリストは、 ユーザーガイドただし、同社は現在サポートされていないデバイス用のアプリケーション インターフェイス ボードを開発し、4 週間以内に提供することもできます。

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CGD の ICeGaN HEMT は大量生産可能

タグ： GaNパワーデバイス

参照してください。 www.camgandevices.com

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• 情報源： https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/may/cgd-240523.shtml