三菱電機とネクスペリア、SiCパワー半導体を共同開発

三菱電機とネクスペリア、SiCパワー半導体を共同開発

タイムスタンプ：13年2023月5日37:XNUMX AM
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ニュース： マイクロエレクトロニクス

２０２０年１１月１２日

東京に本拠を置く三菱電機株式会社は、パワーエレクトロニクス市場向けの炭化ケイ素（SiC）パワー半導体を共同開発するために、オランダ、ナイメーヘンのディスクリートデバイスの設計および製造業者であるNexperia BV（Wingtech Technology Co Ltdの子会社）と戦略的パートナーシップを締結します。三菱電機はワイドバンドギャップ半導体技術を活用してSiC MOSFETチップを開発・供給し、NexperiaがSiCディスクリートデバイスの開発に使用する。

電気自動車市場の世界的な拡大は、従来のシリコンパワー半導体よりもエネルギー損失が低く、動作温度が高く、スイッチング速度が速いSiCパワー半導体の急激な成長を促進しています。 SiC パワー半導体の高効率は、世界的な脱炭素化とグリーントランスフォーメーションに大きく貢献すると期待されています。

三菱電機は、2010年にエアコン用初のSiCパワーモジュールを発売し、全SiCパワーモジュールの初のサプライヤーとなって以来、高速鉄道、高電圧産業用途、家電製品などの用途で主導的地位を確立したと主張している。三菱電機は、高性能・高信頼性が特徴のSiCパワーモジュールの開発・製造でノウハウを蓄積してきたとしている。

三菱電機は今後、自動車、産業、モバイル、民生市場でデバイスが使用されるNexperiaとのパートナーシップを強化し、脱炭素化と持続可能性に貢献すると期待している。三菱電機は今後もSiCチップの性能と品質の向上を目指し、独自のモジュール技術を活用したパワーモジュールの開発に注力していきます。

“This mutually beneficial strategic partnership with Mitsubishi Electric represents a significant stride in Nexperia’s silicon carbide journey,” believes Mark Roeloffzen, senior VP & general manager of Nexperia’s Bipolar Discretes business group. “Mitsubishi Electric has a strong track record as a supplier of technically proven SiC device and modules. Combined with Nexperia’s high quality standards and expertise in discrete products and packaging, we will certainly generate positive synergies between both companies – ultimately enabling our customers to deliver highly energy-efficient products in the industrial, automotive or consumer markets they serve,” he adds.

「Nexperia は、高品質ディスクリート半導体の実績ある技術を持つ産業分野のリーディングカンパニーです」と、三菱電機の執行役員兼半導体・デバイス本部長の武見正義氏はコメントしています。 「両社の半導体技術を活用する共同開発パートナーシップを締結できることを嬉しく思います。」

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タグ： 三菱電機 SiCパワーMOSFET

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