Navitas は APEC で GaN および SiC アプリケーションを強調

ニュース： マイクロエレクトロニクス

２０２2年２月2024日

米国カリフォルニア州ロングビーチのロングビーチ コンベンション & エンターテイメント センターで開催された応用パワー エレクトロニクス会議 (APEC 1353) (2024 月 26 ～ 29 日) の「プラネット ナビタス」ブース #6 では、窒化ガリウム (GaN) パワー IC とシリコンが展示されていました。米国カリフォルニア州トーランスにあるカーバイド（SiC）技術企業ナビタス・セミコンダクター・コープは、GaNとSiC技術が完全電化住宅、交通機関、産業向けの最新ソリューションをどのように実現しているかを強調している。例としては、テレビの電源から家電製品のモーターやコンプレッサー、電気自動車 (EV) の充電、太陽光発電/マイクログリッドの設置、データセンターの電力システムまで多岐にわたります。それぞれが、可搬性の向上、航続距離の延長、高速充電、グリッド非依存性などのエンドユーザーのメリットを強調するとともに、低炭素フットプリントの GaN および SiC テクノロジーが年間 XNUMX ギガトンを超える COXNUMX をどのように節約できるかに焦点を当てています。2 2050によります。

「アプリケーション固有の包括的なシステム設計サポートを備えた補完的な GaNFast および GeneSiC ポートフォリオは、持続可能なパフォーマンス上の利点により顧客の市場投入までの時間を短縮します」と最高執行責任者/最高技術責任者兼共同創設者のダン キンザーは述べています。 「『Planet Navitas』は、年間 22 億ドルの広大な市場機会における GaN と SiC の非常に現実的で刺激的な実装を表しています。」

主なテクノロジーのアップデートとリリースには、GaNSafe (世界で最も保護され、最も信頼性が高く、最高のパフォーマンスの GaN パワーであると言われています)、第 4 世代 GaNSense ハーフブリッジ IC (最も統合された GaN デバイス)、第 3 世代高速 SiC パワーが含まれます。 FET (高出力性能用)、および双方向 GaN (モーター駆動およびエネルギー貯蔵アプリケーション用)。

APECにおけるNavitasによる技術プレゼンテーション

2月27

• 午前 8 時 55 分 (IS05.2)、「モーター駆動アプリケーションにおける GaN HEMT によるシステムコストの削減」、Alfred Hesener (産業および消費者シニア ディレクター) による。
• 午前 10 時 40 分 (PSTT02.6)、Bin Li (アプリケーション担当ディレクター) による「統合平面トランスとハーフブリッジ GaN IC を備えた高密度 400W DC/DC パワー モジュール」。
• 午前11時40分（PSTT01.9）、「GaNベースの多出力フライバックコンバータにおける平面トランス巻線損失の最適化方法」Xiucheng Huang（シニアディレクター）による。
• 午後 3 時 45 分 (場所: 101B)、ダン・キンザー氏による出展者プレゼンテーション「次世代 GaNFast と GeneSiC パワーによる世界の電気化」。

2月29

• 午前 8 時 30 分～11 時 20 分 (IS19)、「パワーモジュールにおける SiC およびパッケージのイノベーション」、セッション議長の Stephen Oliver (企業マーケティングおよび IR 副社長)。
• 午前 8 時 55 分 (PSTIS21.2)、「GaN ハーフブリッジ パワー IC と AHB/トーテムポール トポロジにより、効率 240% の 150W、3.1cc、PD95.5 ソリューションが実現」 by Tom Ribarich (戦略マーケティング シニア ディレクター);
• 午後 1 時 30 ～ 3 時 10 分 (IS27)、「パワー エレクトロニクスの新たなアプリケーション」、セッション議長 Llew Vaughan-Edmunds (GeneSiC シニア ディレクター)。
• 午後 2 時 20 分 (IS27-3)、Stephen Oliver および Llew Vaughan-Edmunds による「EV 長距離トラック輸送におけるメガワット充電用に最適化された高電圧 SiC」。

学生就職説明会

2月27

• 午後 1 時 30 分～午後 5 時 (ハイアット リージェンシー ホテルのリージェンシー ボールルーム ABC、ロングビーチ コンベンション センターの隣)、ナビタスの上級人事マネージャー、ショーン サンデラと。

タグ： パワーエレクトロニクス

参照してください。 www.navitassemi.com

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• 情報源： https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/navitas-020224.shtml