ニュース: マイクロエレクトロニクス
2018年6月18日
米国マサチューセッツ州ウォルサムのフィンウェーブ・セミコンダクター社は、ピエール・イヴ・レザシェール博士がCEOとして同社に加わったと発表した。テクノロジー企業を成長の加速と収益性の向上に導いた数十年の経験を持つ半導体業界のベテランと評されるレサイシェール氏は、Finwaveのテクノロジーの採用を促進し、それをより広範な市場にもたらすことに貢献するだろう。
写真: Finwave Semiconductor の新 CEO ピエール・イヴ・レザシェール博士。
共同創設者で元 CEO の Bin Lu 博士は現在、最高技術責任者の役割を引き継ぎ、社内の技術開発とイノベーションを推進するというコミットメントを維持しています。
2012 年にマサチューセッツ工科大学 (MIT) の研究者によってケンブリッジ エレクトロニクスとして設立され、2022 年 5 月に Finwave Semiconductor (カリフォルニア州サンディエゴとベイエリアにオフィスを構える) にブランド変更されたこの初期段階のテクノロジー企業は、3G 通信をターゲットとしています。 3D フィン窒化ガリウム トランジスタ (GaN FinFET) 構造を特徴とする XNUMXDGaN テクノロジー。
「半導体業界での豊富なリーダーシップ経験、テクノロジー、科学、グローバルビジネスにおける深い専門知識、そしてビジネスを大成功に変えた驚くべき実績により、ピエール・イヴは、当社が今後も継続的に事業を推進していく中で、会社を前進させる上で理想的な立場にあります。」 GaN半導体技術の限界だ」とLu氏は信じている。 「私たちがエネルギー効率の高い5G/6G通信、データセンター、自動車電源、IoTなどに革命を起こそうと努めている中で、彼が間違いなくプラスの影響を与えることを心から期待しています。」
Finwave は、同社の 3DGaN FinFET テクノロジーにより、5G 通信の直線性と電力効率が向上すると述べています。さらに同社は、同社の先駆的なエンハンスメントモード(Eモード)RF技術が携帯電話機の高性能パワーアンプの可能性を開くと主張している。 Finwave は、同社の GaN-on-Si プラットフォームは、8 インチ シリコン CMOS の大量製造を活用することで、従来の 6 インチ GaN-on-SiC および GaAs テクノロジーと比較して大幅なコスト削減を可能にし、同時に「ムーアの法則」に似たスケーラビリティ原則を採用していると述べています。 'GaNの場合。
「Finwave はイノベーションと進歩の新時代を導入し、5G、AI、IoT など、今日の最も重要な実現可能市場のいくつかに GaN の真の可能性をもたらしようとしています」と Lesaicherre 氏は述べています。 「同社のテクノロジーは、高周波アプリケーションで極めて高いパフォーマンスを実現する能力をすでに実証しています。」
Finwave に入社する前、Lesaicherre は、高度なプロセス制御計測とソフトウェア分析のプロバイダーである Nanometrics Inc の社長、CEO、取締役を務めていました。 2012 年から 2017 年までは、LED コンポーネントと自動車用照明ランプの総合メーカーである Lumileds の CEO も務めました。Lesaicherre 氏は、これまでに NXP および Philips Semiconductors で上級管理職を歴任し、自動車のサプライヤーである Silvaco Group Inc の取締役会長を務めました。 TCAD、EDA ソフトウェアおよび設計 IP。 Lesaicherre 氏は現在、世界中のデバイス、ネットワーク、サービスの中核となるモバイルおよびビデオ技術の開発とライセンス供与を行うテクノロジー企業、InterDigital の取締役を務めています。
Lesaicherre は、INSEAD で国際ビジネスと戦略に重点を置いた MBA を取得し、修士号と博士号を取得しています。グルノーブル工科大学 (グルノーブル INP) で材料科学の学位を取得。彼は、取締役会のリーダーシップフェロー、ガバナンスフェロー、および NACD (全米企業取締役協会) の認定ディレクターであり、NACD および SVDX (シリコンバレーディレクターズエクスチェンジ) の積極的なメンバーでもあります。
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- 情報源: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/jun/finwave-220623.shtml
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