Mitsubishi Electric et Nexperia vont co-développer des semi-conducteurs de puissance SiC

Republié par Platon

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13 Novembre 2023

Mitsubishi Electric Corp, basée à Tokyo, conclut un partenariat stratégique avec le concepteur et fabricant d'appareils discrets Nexperia B.V. de Nijmegen, aux Pays-Bas (une filiale de Wingtech Technology Co Ltd) pour développer conjointement des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) pour le marché de l'électronique de puissance. Mitsubishi Electric exploitera ses technologies de semi-conducteurs à large bande interdite pour développer et fournir des puces SiC MOSFET que Nexperia utilisera pour développer des dispositifs discrets SiC.

L'expansion mondiale du marché des véhicules électriques contribue à stimuler la croissance exponentielle des semi-conducteurs de puissance SiC, qui offrent des pertes d'énergie plus faibles, des températures de fonctionnement plus élevées et des vitesses de commutation plus rapides que les semi-conducteurs de puissance au silicium conventionnels. Le haut rendement des semi-conducteurs de puissance SiC devrait contribuer de manière significative à la décarbonisation mondiale et à la transformation verte.

Mitsubishi Electric affirme avoir acquis une position de leader dans des applications telles que les trains à grande vitesse, les applications industrielles à haute tension et les appareils électroménagers, après avoir lancé les premiers modules d'alimentation SiC pour climatiseurs en 2010 et être devenu le premier fournisseur d'un module d'alimentation entièrement SiC. module pour les trains à grande vitesse Shinkansen en 2015. Mitsubishi Electric affirme avoir accumulé une expertise dans le développement et la fabrication de modules de puissance SiC, connus pour leurs performances avancées et leur haute fiabilité.

À l'avenir, Mitsubishi Electric prévoit de renforcer son partenariat avec Nexperia, dont les appareils sont utilisés sur les marchés automobile, industriel, mobile et grand public, contribuant ainsi à la décarbonisation et à la durabilité. Mitsubishi Electric vise à continuer d'améliorer les performances et la qualité de ses puces SiC et à se concentrer sur le développement de modules de puissance utilisant des technologies de modules propriétaires.

“This mutually beneficial strategic partnership with Mitsubishi Electric represents a significant stride in Nexperia’s silicon carbide journey,” believes Mark Roeloffzen, senior VP & general manager of Nexperia’s Bipolar Discretes business group. “Mitsubishi Electric has a strong track record as a supplier of technically proven SiC device and modules. Combined with Nexperia’s high quality standards and expertise in discrete products and packaging, we will certainly generate positive synergies between both companies – ultimately enabling our customers to deliver highly energy-efficient products in the industrial, automotive or consumer markets they serve,” he adds.

« Nexperia est une entreprise leader dans le secteur industriel avec des technologies éprouvées pour les semi-conducteurs discrets de haute qualité », commente Masayoshi Takemi, directeur général et président du groupe Semiconductor & Device chez Mitsubishi Electric. « Nous sommes ravis de conclure ce partenariat de co-développement qui tirera parti des technologies de semi-conducteurs des deux sociétés. »

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Mots clés: Mitsubishi Electric MOSFET de puissance SiC

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