Actualités : Microelectronics
29 Août 2023
La société japonaise Toshiba Electronic Devices & Storage Corp (TDSC), issue d'une scission de Toshiba Corp en 2017, a commencé à expédier en volume ce qu'elle estime être le premier module MOSFET double carbure de silicium (SiC) 2200 XNUMX V du secteur pour les équipements industriels.
Photo : MG250YD2YMS3 de Toshiba, le premier module MOSFET double SiC 2200 XNUMX V.
Utilisant les puces SiC MOSFET de troisième génération de l'entreprise et avec un courant de drain (DC) de 250 A, le nouveau module MG250YD2YMS3 convient aux applications qui utilisent DC1500 XNUMX V, telles que les systèmes de production d'énergie renouvelable (systèmes d'alimentation photovoltaïque, etc.) et les systèmes de stockage d'énergie. .
Ces applications industrielles utilisent généralement une puissance de 1000 1200 V CC ou moins, et leurs dispositifs d'alimentation sont pour la plupart des produits de 1700 1500 V ou XNUMX XNUMX V, mais Toshiba prévoit une utilisation généralisée du XNUMX XNUMX V CC dans les années à venir.
Le MG250YD2YMS3 offre une faible perte de conduction avec une faible tension drain-source (détection) de 0.7 V (typique, testé à ID=250A,VGS=+20V, Tch=25°C). Il offre également une perte de commutation à l'activation et à la désactivation inférieure de 14 mJ (typique) et 11 mJ (typique) respectivement (testé à VDD= 1100V, jeD=250A,Tch=150 °C), soit une réduction d'environ 90 % par rapport à un module à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) typique en silicium (Si) de 2300 XNUMX V. Ces caractéristiques contribuent à une efficacité accrue des équipements. L'obtention d'une faible perte de commutation permet également de remplacer le circuit conventionnel à trois niveaux par un circuit à deux niveaux avec un nombre de modules inférieur, contribuant ainsi à la miniaturisation de l'équipement.
Toshiba lance des MOSFET SiC de troisième génération
www.toshiba.semicon-storage.com
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- La source: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/aug/toshiba-290823.shtml
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