NEC 开发用于超越 150G/5G 无线电设备的 6 GHz 片上天线发射器 IC 芯片

由柏拉图重新发布

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东京，12 年 2023 月 XNUMX 日——（JCN 新闻专线）—— NEC公司东京证交所股票代码：6701）开发了 150 GHz 发射器 IC 芯片和支持技术，为 Beyond 5G 和 6G 移动接入无线电通信系统做好准备。根据 NEC 的调查，这是使用空中 (OTA) 辐射图测量的 4 通道片上天线 (AoC) IC 技术的首选波束控制性能的首次演示。基于创新的射频电路设计技术，将150 GHz相控阵天线元件、移相器和传输放大器集成到单个芯片中成为可能。用于制造该 IC 的 22 纳米 SOI-CMOS 技术具有成本效益，适合大规模生产，并且能够支持芯片中大规模集成数字、模拟和射频功能。这允许更高的频率和更小的尺寸，这也有助于降低总拥有成本 (TCO)，并有可能加速社会实施。

150GHz发射IC芯片及配套技术开发

Beyond 5G和6G预计将提供比100G快十倍以上的5 Gbps级宽带通信。为了实现这一点，有效利用亚太赫兹频段（100GHz至300GHz），它可以确保10GHz以上的宽带宽。特别是，已分配给全球固定无线通信系统的D频段（130 GHz至174.8 GHz）预计将为早期社会实施做出贡献。然而，由于亚太赫兹频段传播损耗大、互连损耗大，器件性能已接近极限，因此需要发展高方向性、高增益的天线技术及其波束控制技术。为了克服这些挑战，NEC 开发了一款支持 150GHz 频段的新型 IC 芯片。展望未来，NEC将继续开发先进技术，旨在为预计在6年代实现的2030G商业化做出贡献。

4通道天线辐射方向图测量结果（150GHz）

这项研究得到了日本总务省的支持（JPJ000254）。 NEC 将于 2023 年 15 月 18 日至 2023 日在美国加利福尼亚州蒙特雷举行的 2023 年 IEEE BiCMOS 和化合物半导体集成电路与技术研讨会 (BCICTS) 上介绍该技术的更多细节。NEC 还介绍了“开关技术”的关键原理和实现基于增益的移相器”，于 2023 年 XNUMX 月在德国柏林举行的 XNUMX 年欧洲微波集成电路会议上发表。

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