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日本东京大阳日酸公司（TNSC）推出了UR26K-CCD金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统，用于大规模生产氮化镓（GaN）。
作为其旗舰生产规模的MOCVD机型，凭借全自动晶圆处理和零件清洗，UR26K-CCD预计与传统系统相比可将生产效率提高约2倍。
图片：Taiyo Nippon Sanso 的新型 UR26K-CCD MOCVD 系统。
与现有的 UR26K 商业生产 GaN MOCVD 系统相比，为了提高生产率，新型 UR26K-CCD 是一种改进的型号，提供升级的“盒式晶圆处理系统”自动传输机制和用于干式处理的“集成干洗系统”。 - 清洁反应器部件。
这些功能允许在装置内全自动传输晶圆。 此外，由于反应器内的使用过的部件在系统内由传送机器人传送到单独安装的干洗室，并在清洁后返回到反应器，因此整个外延生长过程都是用干净的部件来处理的。 这种自动化循环无需为了清洁过程而中断生长室的运行，与传统系统相比，生产效率提高了约 2 倍。
生长硅基氮化镓晶圆可能对实现可重复的结果构成重大挑战，这一困难归因于异物和晶圆翘曲造成的晶圆污染。 Taiyo Nippon Sanso 表示，集成清洁装置并保持反应器环境的一致性应该会提高再现性和更高的产率，即降低总拥有成本。
可容纳 10×6” 或 6×8” 晶圆尺寸，反应器配置（面朝上、自转和公转）与传统 UR26K 相同，采用该公司专有的三个层流水平气体喷嘴、齿轮驱动晶圆旋转机构，以及用于均匀薄膜生长的 6 区电阻加热器。 来源包括 TMGa、TEGa、TMAl、TMIn、NH3, CP2镁和硅氢4。 生长压力为13-100kPa。 应用包括功率器件、高频器件和 micro-LED。
