东芝推出首款 2200V 双 SiC MOSFET 模块

新闻： 微电子

29年2023月XNUMX日

日本东芝电子元件及存储装置公司 (TDSC) 于 2017 年从东芝公司分拆出来，现已开始批量出货业界首款用于工业设备的 2200V 双碳化硅 (SiC) MOSFET 模块。

图片：东芝首款250V双SiC MOSFET模块MG2YD3YMS2200。

新型MG250YD250YMS2模块采用该公司第三代SiC MOSFET芯片，漏极电流（DC）额定值为3A，适用于使用DC1500V的应用，例如可再生能源发电系统（光伏发电系统等）和储能系统。

此类工业应用通常使用DC1000V或更低的功率，其功率器件大多为1200V或1700V产品，但东芝预计未来几年将广泛使用DC1500V。

MG250YD2YMS3 具有低传导损耗和 0.7V 的低漏源导通电压（感测）（典型值，在 ID=250A、VGS=+20V，Tch=25°C）。 它还提供较低的开启和关闭开关损耗，分别为 14mJ（典型值）和 11mJ（典型值）（在 V 下测试）DD= 1100V，我D=250A，Tch=150°C），与典型的 90V 硅 (Si) 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 模块相比，温度降低了约 2300%。 这些特性有助于提高设备效率。 实现低开关损耗还可以将传统的三电平电路替换为模块数较少的两电平电路，从而有助于设备的小型化。

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标签： Toshiba

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• Sumber: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/aug/toshiba-290823.shtml