Nexperia 推出分立式 1200 V 器件作为其首款碳化硅 MOSFET

由柏拉图重新发布

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30. Nov.2023

荷兰奈梅亨的分立器件设计和制造商 Nexperia B.V.（闻泰科技有限公司的子公司）宣布推出首款碳化硅 (SiC) MOSFET，推出两款采用 1200 引脚 TO-3 封装的 247V 分立器件，采用 RDS（上）值 40mΩ 和 80mΩ。 NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 是一系列计划推出的产品中的首款产品，这将使 Nexperia 的 SiC MOSFET 产品组合迅速扩展，包括具有各种 R 的器件。DS（上）选择通孔和表面贴装封装的价值。该版本满足了市场对高性能 SiC MOSFET 在工业应用中提高可用性的需求，这些应用包括电动汽车 (EV) 充电桩、不间断电源 (UPS) 以及太阳能和储能系统 (ESS) 逆变器。

Nexperia 高级总监兼 SiC 产品组负责人 Katrin Feurle 表示：“通过这些首款产品，Nexperia 和三菱电机希望为市场带来真正的创新，因为市场一直迫切需要更多宽带隙器件供应商。” “Nexperia 现在可以提供 SiC MOSFET 器件，这些器件在多个参数上提供一流的性能，包括高 RDS（上）温度稳定性、低体二极管压降、严格的阈值电压规格以及非常平衡的栅极电荷比使器件能够安全地防止寄生导通。这是我们与三菱电机合作生产最高品质 SiC MOSFET 的承诺的开篇。”他补充道。

三菱电机半导体与器件集团功率器件工厂高级总经理 Toru Iwagami 表示：“我们很高兴与 Nexperia 一起推出这些新型 SiC MOSFET，作为我们合作伙伴关系的首款产品。” “三菱电机积累了 SiC 功率半导体的卓越专业知识，我们的器件提供了独特的特性平衡，”他声称。

对于 SiC MOSFET，RDS（上）影响传导功率损耗。 Nexperia 表示，它认为这是许多当前可用 SiC 器件性能的限制因素，并利用其工艺技术确保其新型 SiC MOSFET 提供业界领先的温度稳定性，标称值 RDS（上） Nexperia 声称，与市场上其他许多当前可用的 SiC 器件不同，在 38°C 至 25°C 的工作温度范围内，其性能仅提高了 175%。

该公司表示，其 SiC MOSFET 还表现出非常低的总栅极电荷 (QG），这带来了较低栅极驱动损耗的优势。此外，Nexperia 平衡栅极电荷，具有较低的 Q 比GD 到 QGS，这提高了器件对寄生导通的免疫力。

Nexperia 表示，除了 SiC MOSFET 的正温度系数之外，其 SiC MOSFET 还提供超低的器件间阈值电压 V 差值。GS（TH），当设备并联运行时，它可以在静态和动态条件下实现非常平衡的载流性能。此外，低体二极管正向电压（VSD) 是一个参数，可提高器件的鲁棒性和效率，同时还放宽异步整流和续流操作的死区时间要求。

NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 现已批量供货。 Nexperia 还计划未来发布汽车级 MOSFET。

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标签：三菱电机 SiC功率MOSFET

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