NEC розробляє високошвидкісний підсилювач потужності високої потужності для мереж наступного покоління

NEC розробляє високошвидкісний підсилювач потужності високої потужності для мереж наступного покоління

Вихідний вузол: 1907578

TOKYO, Jan 19, 2023 - (JCN Newswire) - NEC Corporation (NEC; TSE: 6701) has developed a power amplifier that will serve as a key device for mobile access and fronthaul/backhaul wireless communication equipment to enable high-speed, high-capacity communications for 5G Advanced and 6G networks. This power amplifier uses GaAs technology that can be mass-produced and has achieved the world's highest output power(*) of 10 mW in the 150 GHz band. Capitalizing on this, NEC aims to fast-track both equipment development and social implementation.

Нещодавно розроблений підсилювач потужності діапазону D

Очікується, що 5G Advanced і 6G забезпечать високошвидкісний зв’язок високої пропускної здатності 100 Гбіт/с, що в 10 разів перевищує швидкість поточного 5G. Цього можна ефективно досягти шляхом використання субтерагерцового діапазону (від 100 до 300 ГГц), який може забезпечити широку смугу частот 10 ГГц або більше. Зокрема, очікується швидка комерціалізація діапазону D (від 130 до 174.8 ГГц), який на міжнародному рівні призначений для фіксованого бездротового зв’язку.

NEC продовжує досягати прогресу в технологічному розвитку, використовуючи свої знання про діапазони високих частот, отримані шляхом розробки та експлуатації радіообладнання для базових станцій 5G і PASOLINK, ультракомпактної мікрохвильової системи зв’язку, яка з’єднує базові станції через бездротовий зв’язок.

Нещодавно розроблений підсилювач потужності використовує комерційно доступний 0.1-мкм арсенід галію (GaAs) псевдоморфний транзистор з високою мобільністю електронів (pHEMT). Порівняно з CMOS і кремнієвим германієм (SiGe), що використовуються для субтерагерцового діапазону, GaAs pHEMT мають високу робочу напругу та нижчу початкову вартість для масового виробництва.

In terms of circuit design, this power amplifier eliminates factors that degrade performance in the high-frequency band and uses an impedance matching network configuration suitable for high output power. This has resulted in the achievement of excellent high-frequency characteristics between 110 GHz and 150 GHz as well as the world's highest output power for a GaAs pHEMT.

На додаток до реалізації високопродуктивного недорогого обладнання радіозв’язку вище 100 ГГц, цей підсилювач потужності прискорить соціальне впровадження 5G Advanced і 6G.

У майбутньому NEC продовжить розробку технологій, спрямованих на досягнення високошвидкісного, високопродуктивного та економічно ефективного бездротового зв’язку для 5G Advanced і 6G.

Це дослідження підтримано Міністерством внутрішніх справ і комунікацій Японії (JPJ000254).

NEC оголосить додаткові подробиці щодо цієї технології на Тематичній конференції IEEE з підсилювачів радіочастот/мікрохвильової потужності для радіо та бездротових додатків (PAWR2023), міжнародній конференції, яка запланована на 22 січня 2023 року в Лас-Вегасі, штат Невада, США.

(*) Згідно з дослідженням NEC станом на 19 січня 2023 року.

Про корпорацію NEC

Корпорація NEC зарекомендувала себе як лідер у сфері інтеграції ІТ та мережевих технологій, просуваючи декларацію бренду «Оркестрування яскравішого світу». NEC дозволяє підприємствам і спільнотам адаптуватися до швидких змін, що відбуваються як у суспільстві, так і на ринку, оскільки забезпечує соціальні цінності безпеки, безпеки, справедливості та ефективності для сприяння більш стійкому світу, де кожен має шанс повністю реалізувати свій потенціал. Для отримання додаткової інформації відвідайте NEC на сайті www.nec.com.

Часова мітка:

Більше від JCN Newswire