Судебный вердикт: STMicroelectronics несет ответственность за ущерб в размере 32.5 миллионов долларов Университету Пердью по патентному делу о транзисторной технологии

Переиздано Платоном

Читают: 0

STMicroelectronics, ведущий европейский производитель чипов, был привлечен к ответственности за нарушая правила Университета Пердью патент связанные с транзистор технологии. Это решение, вынесенное присяжными в West Texas Суд вынес вердикт о возмещении ущерба в размере 32.5 миллиона долларов. Присяжные поддержали довод Purdue о том, что использование ST Карбид кремния оксид металла полупроводник полевые транзисторы (MOSFETs) в зарядных устройствах для электромобилей и других устройствах нарушили патентные права университета, в частности, относящиеся к транзисторам, предназначенным для «высоковольтных силовых приложений». В ответ представитель ST объявил о планах компании оспорить приговор, подав апелляцию.

Майкл Шор, адвокат, представляющий Purdue, выделил убедительные доказательства против ST, предположив потенциальные дополнительные гонорары превысит 100 миллионов долларов до истечения срока действия патента в 2026 году.

МОП-транзисторы играют решающую роль в электронных устройствах, контролируя и усиливая поток электричества. Purdue инициировала иск против ST в 2021 году, утверждая, что МОП-транзисторы компании Потерпевшая по двум своим патентам на транзисторные технологии. Однако один из патентов Purdue был исключен из дела университетом в Западный Лафайет, Индиана в прошлом году. ST оспорила обвинения, заявив, что оставшийся патент Purdue недействителен.

Юридический спор известен как Университет Пердью против STMicroelectronics International NV и был подан в Окружной суд США Западного округа Техаса по делу № 6:21-cv-00727.

Вердикт