Toshiba envia o primeiro módulo MOSFET SiC duplo de 2200V

news: Microelectronics

29 agosto 2023

A Toshiba Electronic Devices & Storage Corp (TDSC), com sede no Japão - que foi desmembrada da Toshiba Corp em 2017 - iniciou remessas em volume do que considera ser o primeiro módulo MOSFET duplo de carboneto de silício (SiC) de 2200V da indústria para equipamentos industriais.

Imagem: MG250YD2YMS3 da Toshiba, o primeiro módulo MOSFET SiC duplo de 2200V.

Usando os chips SiC MOSFET de terceira geração da empresa e com uma corrente de drenagem (DC) nominal de 250A, o novo módulo MG250YD2YMS3 é adequado para aplicações que usam DC1500V, como sistemas de geração de energia renovável (sistemas de energia fotovoltaica, etc.) e sistemas de armazenamento de energia. .

Essas aplicações industriais geralmente usam energia DC1000V ou inferior, e seus dispositivos de energia são principalmente produtos de 1200V ou 1700V, mas a Toshiba prevê o uso generalizado de DC1500V nos próximos anos.

O MG250YD2YMS3 oferece baixa perda de condução com baixa tensão de drenagem-fonte (senso) de 0.7V (típico, testado em ID=250A,VGS=+20V,Tch=25ºC). Ele também oferece menor perda de comutação ao ligar e desligar de 14mJ (típico) e 11mJ (típico), respectivamente (testado em VDD= 1100V, ID=250A,Tch=150°C), uma redução de aproximadamente 90% em relação a um módulo típico de transistor bipolar de porta isolada (IGBT) de silício (Si) de 2300V. Essas características contribuem para maior eficiência do equipamento. A obtenção de baixas perdas de comutação também permite que o circuito convencional de três níveis seja substituído por um circuito de dois níveis com menor contagem de módulos, contribuindo para a miniaturização do equipamento.

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Tags: Toshiba

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• Fonte: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/aug/toshiba-290823.shtml