X-FAB leder EU-finansiert photonixFAB-prosjekt for å industrialisere den europeiske verdikjeden for silisiumfotonikk

X-FAB leder EU-finansiert photonixFAB-prosjekt for å industrialisere den europeiske verdikjeden for silisiumfotonikk

Tidsstempel: 15. juni 2023 10:50
Kilde node: 2727086

Nyheter: Optoelektronikk

15 juni 2023

Analog/digital (blandet signal) integrert krets, mikro-elektro-mekanisk system (MEMS) og spesialitetshalvlederstøperi X-FAB Silicon Foundries SE i Tessenderlo, Belgia står i spissen for et strategisk initiativ som tar sikte på å gjøre det mulig for den europeiske halvleder- og fotonikkindustrien å vinne større suverenitet, styrking av kontinentets produksjonsevne i viktige fremvoksende områder. PhotonixFAB-prosjektet har som mål å styrke fotonikkinnovasjon av små og mellomstore bedrifter (SMB) og store enheter ved å gi lavbarrieretilgang til både silisiumnitrid med lavt tap (SiN) og silisium-på-isolator (SOI)-basert fotonikkplattformer med indiumfosfid (InP) og litiumniobat-på-isolator (LNO) heterogene integrasjonsevner.

PhotonixFAB-konsortiet består av store offentlige og private virksomheter, pluss forskningsinstitutter – alle med fokus på utvikling og produksjon av neste generasjons silisiumfotonik. Partnerne inkluderer teknologi- og produksjonstjenesteleverandørene LIGENTEC, SMART Photonics, PHIX Photonics Assembly og Luceda Photonics pluss applikasjonsutviklere Nokia, NVIDIA, Aryballe, Brolis Sensor Technology og PhotonFirst, samt forskningsorganisasjonene CEA-Leti og IMEC.

Målet er å etablere en europeisk verdikjede for fotonikkenheter og innledende industrielle produksjonsevner, som gir en vei til skalerbar høyvolumproduksjon for innovative produktutviklere.

PhotonixFAB-konsortiet vil spenne over et omfattende sett med fotonikkstøperi- og monteringsfunksjoner, inkludert:

  • industriskala silisiumfotonikproduksjonstjenester med lave inngangsbarrierer og raske behandlingstider for både SiN- og SOI-baserte fotoniske integrerte kretser (PICs) med lavt tap;
  • muliggjøring av mikrooverføringsutskrift og direkte bindingsteknologier for InP, LNO og germanium-basert aktiv og passiv komponent heterogen integrasjon på SiN- og SOI-baserte PIC-plattformer.
  • utvikling av skalerbar emballasje og testløsninger i tråd med (heterogene) PIC-plattformutviklingen.
  • prosessdesignsett (PDK)-basert designautomatiseringsaktivering for fotoniske plattformer.

Som en del av prosjektet bygges seks demonstratorer for å validere de implementerte fotonikkverdikjedene. Disse inkluderer applikasjoner som datakom og optiske brytere, en koherent optisk sender/mottaker, et infrarødt (IR) spektrometer for sansing, en digital luktsensor for forbrukerhelsetjenester og en demonstrator for helseovervåking.

Potensielle muligheter for fotoniske enheter produsert via photonixFAB-prosjektet er allerede identifisert, inkludert datakommunikasjon, telekom, biomedisinske sensorer/detektorer, kvantedatabehandling og kjøretøy LiDAR (lysdeteksjon og avstandsmåling).

"Etter å se et stort potensiale dukke opp der, utforsker tradisjonelle halvlederleverandører, OEM-er og oppstartsbedrifter nå fotonikkaktiverte applikasjoner," sier X-FABs administrerende direktør Rudi De Winter. "Følgelig er dette det rette tidspunktet for selskaper å jobbe sammen om å bygge et omfattende europasentrisk silisiumfotonik-økosystem som vil bidra til å drive kontinentets konkurranseevne i dette spennende nye markedet."

Prosjektet støttes av Key Digital Technologies Joint Undertaking (KDT JU), med midler fra Den europeiske union (EU), under tilskuddsavtale nr. 101111896, pluss tilleggsfinansiering fra nasjonale myndigheter i Belgia, Tyskland, Frankrike, Israel, Italia, Nederland og Sveits. Kombinasjonen av denne finansieringen pluss direkte investering fra hvert av konsortiets medlemmer utgjør €47.6 millioner. En stor del av arbeidet med dette 3.5-årige prosjektet vil bli utført ved X-FABs støperivirksomhet i Corbeil-Essonnes, Frankrike, med tilleggsaktiviteter også utført på de mange andre partnernes anlegg over hele Europa.

Se relaterte varer:

X-FAB utvider IHP-samarbeidet ved å lisensiere 130nm SiGe BiCMOS

X-FAB og IHP samarbeider om SiGe BiCMOS og RF-SOI-teknologi

Tags: Silisiumfotonikk Pics SiN

Besøk: www.photonixfab.eu

Besøk: www.xfab.com

Tidstempel:

Mer fra Halvleder i dag