Mitsubishi Electric en Nexperia gaan samen SiC Power Semiconductors ontwikkelen

Heruitgegeven door Plato

volgers: 0

13 november 2023

Het in Tokio gevestigde Mitsubishi Electric Corp gaat een strategische samenwerking aan met ontwerper en fabrikant van discrete apparaten Nexperia BV uit Nijmegen (een dochteronderneming van Wingtech Technology Co Ltd) om gezamenlijk siliciumcarbide (SiC) vermogenshalfgeleiders te ontwikkelen voor de markt voor vermogenselektronica. Mitsubishi Electric zal zijn halfgeleidertechnologieën met een grote bandbreedte benutten om SiC MOSFET-chips te ontwikkelen en te leveren die Nexperia zal gebruiken om discrete SiC-apparaten te ontwikkelen.

De mondiale expansie van de markt voor elektrische voertuigen draagt bij aan de exponentiële groei van SiC-vermogenshalfgeleiders, die minder energieverlies, hogere bedrijfstemperaturen en snellere schakelsnelheden bieden dan conventionele siliciumvermogenshalfgeleiders. De hoge efficiëntie van SiC-vermogenshalfgeleiders zal naar verwachting aanzienlijk bijdragen aan het mondiaal koolstofvrij maken en groene transformatie.

Mitsubishi Electric beweert dat het een leidende positie heeft verworven in toepassingen zoals hogesnelheidstreinen, industriële hoogspanningstoepassingen en huishoudelijke apparaten, nadat het in 2010 de eerste SiC-stroommodules voor airconditioners lanceerde en de eerste leverancier werd van een volledig SiC-stroomvoorziening module voor Shinkansen-bullet-treinen in 2015. Mitsubishi Electric zegt dat het expertise heeft opgebouwd in de ontwikkeling en productie van SiC-vermogensmodules, die bekend staan om hun geavanceerde prestaties en hoge betrouwbaarheid.

In de toekomst verwacht Mitsubishi Electric zijn partnerschap met Nexperia, wiens apparaten worden gebruikt in de automobiel-, industriële, mobiele en consumentenmarkten, te versterken en zo bij te dragen aan het koolstofvrij maken en duurzaamheid. Mitsubishi Electric streeft ernaar de prestaties en kwaliteit van zijn SiC-chips te blijven verbeteren en zich te concentreren op de ontwikkeling van voedingsmodules met behulp van eigen moduletechnologieën.

“Dit wederzijds voordelige strategische partnerschap met Mitsubishi Electric vertegenwoordigt een aanzienlijke stap voorwaarts in het siliciumcarbidetraject van Nexperia”, meent Mark Roeloffzen, senior VP en algemeen manager van Nexperia's Bipolar Discretes-businessgroep. “Mitsubishi Electric heeft een sterk trackrecord als leverancier van technisch bewezen SiC-apparaten en -modules. Gecombineerd met de hoge kwaliteitsnormen en expertise van Nexperia op het gebied van discrete producten en verpakkingen, zullen we zeker positieve synergieën tussen beide bedrijven genereren, waardoor onze klanten uiteindelijk zeer energie-efficiënte producten kunnen leveren in de industriële, automobiel- of consumentenmarkten die zij bedienen”, voegt hij eraan toe.

“Nexperia is een toonaangevend bedrijf in de industriële sector met bewezen technologieën voor hoogwaardige discrete halfgeleiders”, zegt Masayoshi Takemi, executive officer & group president, Semiconductor & Device bij Mitsubishi Electric. “We zijn verheugd om dit partnerschap voor gezamenlijke ontwikkeling aan te gaan, dat de halfgeleidertechnologieën van beide bedrijven zal benutten.”

Zie gerelateerde items:

Vishay neemt Newport Wafer Fab van Nexperia over voor $177 miljoen

DENSO en Mitsubishi Electric investeren $1 miljard in de siliciumcarbideactiviteiten van Coherent

Nexperia en KYOCERA AVX Salzburg gaan een 650V SiC-gelijkrichtermodule voor stroomtoepassingen coproduceren

Coherent en Mitsubishi Electric werken samen om de productie van siliciumcarbide-vermogenselektronica op te schalen

Mitsubishi Electric gaat een nieuwe 8-inch SiC-fabriek bouwen om de semi-productie van vermogen te stimuleren

Nexperia breidt het bereik met een brede bandafstand uit door de markt voor siliciumcarbidediodes met hoog vermogen te betreden

Tags: Mitsubishi Electric SiC-vermogens-MOSFET

Bezoek: www.nexperia.com

Bezoek: www.mitsubishielectric.com/semiconductors/powerdevices