Toshiba, 최초의 2200V 듀얼 SiC MOSFET 모듈 출시

뉴스 : 마이크로

29 8월 2023

2017년 Toshiba Corp에서 분사된 일본 기반 Toshiba Electronic Devices & Storage Corp(TDSC)는 산업 장비용 업계 최초의 2200V 듀얼 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 모듈의 대량 출하를 시작했습니다.

사진: 최초의 250V 듀얼 SiC MOSFET 모듈인 Toshiba의 MG2YD3YMS2200.

회사의 250세대 SiC MOSFET 칩을 사용하고 250A의 드레인 전류(DC) 정격을 갖춘 새로운 MG2YD3YMS1500 모듈은 재생 에너지 발전 시스템(태양광 발전 시스템 등) 및 에너지 저장 시스템과 같이 DCXNUMXV를 사용하는 애플리케이션에 적합합니다. .

이러한 산업용 애플리케이션은 일반적으로 DC1000V 이하의 전력을 사용하며, 해당 전력 장치는 대부분 1200V 또는 1700V 제품이지만 도시바는 향후 몇 년 내에 DC1500V가 널리 사용될 것으로 예상하고 있습니다.

MG250YD2YMS3은 0.7V의 낮은 드레인-소스 온 전압(감지)으로 낮은 전도 손실을 제공합니다(일반, I에서 테스트됨).D=250A,VGS=+20V, 티ch=25°C). 또한 각각 14mJ(일반) 및 11mJ(일반)의 더 낮은 턴온 및 턴오프 스위칭 손실을 제공합니다(V에서 테스트됨).DD= 1100V, 나는D=250A, 티ch=150°C), 일반적인 90V 실리콘(Si) 절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT) 모듈에 비해 약 2300% 감소합니다. 이러한 특성은 장비 효율성 향상에 기여합니다. 또한, 낮은 스위칭 손실을 실현함으로써 기존의 XNUMX레벨 회로를 모듈 수가 적은 XNUMX레벨 회로로 대체할 수 있어 장비의 소형화에 기여합니다.

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도시바, XNUMX세대 SiC MOSFET 출시

태그 : 도시바

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• 출처: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/aug/toshiba-290823.shtml