Nexperia、初の炭化ケイ素 MOSFET としてディスクリート 1200 V デバイスを発売

Nexperia、初の炭化ケイ素 MOSFET としてディスクリート 1200 V デバイスを発売

タイムスタンプ：30年2023月6日43:XNUMX AM
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ニュース： マイクロエレクトロニクス

２０２０年１１月１２日

オランダ、ナイメーヘンのディスクリート デバイス設計および製造会社 Nexperia BV (Wingtech Technology Co Ltd の子会社) は、同社初の炭化ケイ素 (SiC) MOSFET を発表し、R 付き 1200 ピン TO-3 パッケージの 247V ディスクリート デバイス XNUMX 個をリリースしました。DS（オン） 値は40mΩと80mΩです。 NSF040120L3A0 および NSF080120L3A0 は、Nexperia の SiC MOSFET ポートフォリオがさまざまな R を備えたデバイスを含むように急速に拡大する予定の一連の発売の最初のものです。DS（オン） スルーホールパッケージと表面実装パッケージの選択における値。このリリースは、電気自動車 (EV) の充電パイル、無停電電源装置 (UPS)、太陽光発電およびエネルギー貯蔵システム (ESS) 用のインバータなどの産業用途における高性能 SiC MOSFET の可用性の向上に対する市場の需要に対応します。

「これらの最初の製品によって、Nexperia と三菱電機は、よりワイドバンドギャップのデバイスサプライヤーを求める市場に真のイノベーションをもたらしたいと考えました」と Nexperia のシニアディレクター兼製品グループ SiC 責任者の Katrin Feurle 氏は述べています。 「Nexperia は、高 R を含むいくつかのパラメータにわたってクラス最高のパフォーマンスを提供する SiC MOSFET デバイスを提供できるようになりました。DS（オン） 温度安定性、低いボディダイオード電圧降下、厳しいしきい値電圧仕様に加えて、非常にバランスのとれたゲート電荷比により、デバイスが寄生ターンオンに対して安全になります。これは、三菱電機とのパートナーシップのもとで最高品質の SiC MOSFET を製造するという当社の取り組みの始まりの章です。」と彼は付け加えました。

「ネクスペリア社とともに、パートナーシップの最初の製品としてこれらの新しいSiC MOSFETを導入できることを大変うれしく思います」と、三菱電機の半導体・デバイスグループパワーデバイス製造所部長の岩上徹氏はコメントしています。 「三菱電機はSiCパワー半導体の優れたノウハウを蓄積しており、独自の特性バランスを実現しています。」と彼は主張する。

SiC MOSFETの場合、RDS（オン） 伝導電力損失に影響を与えます。 Nexperia は、これが現在入手可能な多くの SiC デバイスの性能における制限要因であると特定し、そのプロセス技術を使用して、新しい SiC MOSFET が公称値 R で業界をリードする温度安定性を確実に提供できるようにしたと述べています。DS（オン） Nexperia によれば、現在市場で入手可能な他の多くの SiC デバイスとは異なり、38 °C ～ 25 °C の動作温度範囲にわたってわずか 175% しか増加しません。

同社は、同社の SiC MOSFET の総ゲート電荷量も非常に低いと述べています (QG）、ゲート駆動損失が低いという利点が得られます。さらに、Nexperia は Q の比率が低くなるようにゲート電荷のバランスをとりました。GD QへGSこれにより、寄生ターンオンに対するデバイスの耐性が向上します。

Nexperia 社は、SiC MOSFET の正の温度係数と合わせて、同社の SiC MOSFET はデバイス間のしきい値電圧 V の超低拡散も実現すると述べています。GS（TH）これにより、デバイスが並列動作するときの静的および動的条件下で非常にバランスの取れた通電性能が得られます。さらに、ボディダイオードの順方向電圧（V）が低いSD) は、デバイスの堅牢性と効率を向上させると同時に、非同期整流とフリーホイール動作のデッドタイム要件を緩和するパラメーターです。

NSF040120L3A0 および NSF080120L3A0 は現在量産可能です。 Nexperia は、自動車グレードの MOSFET の将来のリリースも計画しています。

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