東芝、初の2200VデュアルSiC MOSFETモジュールを出荷

ニュース： マイクロエレクトロニクス

２０２０年 ８月１２日

2017年に東芝から分離独立した日本の東芝デバイス＆ストレージ（TDSC）は、業界初と思われる産業機器向け2200Vデュアル炭化ケイ素（SiC）MOSFETモジュールの量産出荷を開始した。

写真: 東芝の MG250YD2YMS3、初の 2200V デュアル SiC MOSFET モジュール。

同社の第250世代SiC MOSFETチップを採用し、ドレイン電流（DC）定格250Aの新モジュール「MG2YD3YMS1500」は、再生可能エネルギー発電システム（太陽光発電システムなど）やエネルギー貯蔵システムなど、DCXNUMXVを使用するアプリケーションに適している。 。

このような産業用途では一般にDC1000V以下の電力が使用され、そのパワーデバイスは1200Vや1700Vの製品が主流ですが、東芝では今後数年でDC1500Vの普及が見込まれています。

MG250YD2YMS3 は、0.7V (代表値、I でテスト) という低いドレイン・ソース間オン電圧 (センス) により、低い導通損失を実現します。D=250A、VGS=+20V、Tch=25℃）。また、ターンオンおよびターンオフのスイッチング損失もそれぞれ 14mJ (標準値) および 11mJ (標準値) と低く抑えられています (V でテスト)DD= 1100V、ID= 250A、Tch=150°C)、一般的な 90V シリコン (Si) 絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ (IGBT) モジュールと比較して約 2300% 削減されます。これらの特性は装置の効率向上に貢献します。また、低スイッチング損失の実現により、従来のXNUMXレベル回路からモジュール数の少ないXNUMXレベル回路への置き換えが可能となり、装置の小型化にも貢献します。

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タグ： 東芝

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• 情報源： https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/aug/toshiba-290823.shtml