2018年7月19日
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本日発行され、無料で発行されたSemiconductor Todayの最新号は、ガリウムヒ素(GaAs)、リン化インジウム(InP)、窒化物、炭化ケイ素(SiC)、シリコンゲルマニウム(SiGe)およびその他の化合物半導体材料の新機能をすべて網羅しています。 マガジンは、これらの資料が可能にするデバイスとアプリケーションもカバーしています。
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この号の記事は次のとおりです。
- All-MOCVD 980nm laser on (001) silicon
- InAs quantum dot lasers butt-coupled to SOI waveguides
- InAs quantum dot lasers on silicon carbide substrate
- サブミクロンのLED赤色発光効率を記録
- Emerging substrates market growing at 27% CAGR to over $264m by 2028
- Mitsubishi Electric develops SBD-embedded SiC-MOSFET withnew structure for power modules
- CEA-Leti proof of concept demonstrates higher electron mobility in GeSn than in silicon or germanium
Plus, there’s the news from organisations such as: Aehr Test Systems, Aixtron, American Elements, ams Osram, Axcelis, AXT, BluGlass, CEA-Leti, Cree, CSA Catapult, Diodes Inc, First Solar, GaN Systems, Guerrilla RF, Infineon, Inseto, Intel, IQE, ITRI, Keysight, KLA, Lumentum, MACOM, Mitsubishi Electric, Navitas, NUBURU, OIPT, Onsemi, POET, Qorvo, Renesas, Riber, ROHM, SemiLEDs, Sivers, Skyworks, STMicroelectronics, Taiyo Nippon Sanso, Toyoda Gosei, Transphorm, Trumpf, Vitesco, WIN Semiconductors, Wolfspeed, and much more..
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- 情報源: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/jul/semiconductor-today-310723.shtml
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