NEC sviluppa amplificatori di potenza ad alta velocità e ad alta capacità per le reti di prossima generazione

NEC sviluppa amplificatori di potenza ad alta velocità e ad alta capacità per le reti di prossima generazione

Timestamp: 19 gennaio 2023 1:56
Nodo di origine: 1907578

TOKYO, 19 gennaio 2023 - (JCN Newswire) - NEC Corporation (NEC; TSE: 6701) ha sviluppato un amplificatore di potenza che fungerà da dispositivo chiave per l'accesso mobile e le apparecchiature di comunicazione wireless fronthaul/backhaul per consentire alta velocità, alta -capacità di comunicazione per le reti 5G Advanced e 6G. Questo amplificatore di potenza utilizza la tecnologia GaAs che può essere prodotta in serie e ha raggiunto la potenza di uscita più alta al mondo (*) di 10 mW nella banda dei 150 GHz. Sfruttando ciò, NEC mira ad accelerare sia lo sviluppo delle apparecchiature che l’implementazione sociale.

Amplificatore di potenza in banda D di nuova concezione

5G Advanced e 6G dovrebbero fornire comunicazioni ad alta velocità e capacità di classe 100 Gbps, equivalenti a 10 volte la velocità dell'attuale 5G. Ciò può essere efficacemente ottenuto attraverso l'uso della banda sub-terahertz (da 100 a 300 GHz), che può fornire un'ampia larghezza di banda di 10 GHz o più. In particolare, è prevista la commercializzazione anticipata della banda D (da 130 a 174.8 GHz), allocata a livello internazionale per le comunicazioni wireless fisse.

NEC continua a fare progressi nello sviluppo tecnologico sfruttando la sua conoscenza delle bande ad alta frequenza coltivata attraverso lo sviluppo e il funzionamento di apparecchiature radio per stazioni base 5G e PASOLINK, un sistema di comunicazione a microonde ultracompatto che collega le stazioni base tramite comunicazione wireless.

L'amplificatore di potenza di nuova concezione utilizza un processo di transistor pseudomorfico ad alta mobilità elettronica (pHEMT) da 0.1 μm di arseniuro di gallio (GaAs) disponibile in commercio. Rispetto al CMOS e al silicio germanio (SiGe) utilizzati per la banda sub-terahertz, i GaAs pHEMT hanno un'elevata tensione operativa e costi iniziali inferiori per la produzione di massa.

In termini di progettazione del circuito, questo amplificatore di potenza elimina i fattori che degradano le prestazioni nella banda ad alta frequenza e utilizza una configurazione di rete di adattamento dell'impedenza adatta per un'elevata potenza di uscita. Ciò ha portato al raggiungimento di eccellenti caratteristiche ad alta frequenza tra 110 GHz e 150 GHz, nonché della potenza di uscita più alta al mondo per un pHEMT GaAs.

Oltre alla realizzazione di apparecchiature di comunicazione radio ad alte prestazioni ea basso costo sopra i 100 GHz, questo amplificatore di potenza accelererà l'implementazione sociale di 5G Advanced e 6G.

Andando avanti, NEC continuerà a sviluppare tecnologie volte a ottenere comunicazioni wireless ad alta velocità, alta capacità e convenienti per 5G Advanced e 6G.

Questa ricerca è supportata dal Ministero degli affari interni e delle comunicazioni in Giappone (JPJ000254).

NEC annuncerà ulteriori dettagli su questa tecnologia alla IEEE Topical Conference on RF/Microwave Power Amplifiers for Radio and Wireless Applications (PAWR2023), una conferenza internazionale che si terrà a Las Vegas, Nevada, USA a partire dal 22 gennaio 2023.

(*) Secondo la ricerca NEC al 19 gennaio 2023.

Informazioni su NEC Corporation

NEC Corporation si è affermata come leader nell'integrazione delle tecnologie IT e di rete, promuovendo al contempo l'affermazione del marchio "Orchestrare un mondo più luminoso". NEC consente alle imprese e alle comunità di adattarsi ai rapidi cambiamenti in atto sia nella società che nel mercato poiché fornisce valori sociali di sicurezza, protezione, equità ed efficienza per promuovere un mondo più sostenibile in cui ognuno abbia la possibilità di raggiungere il proprio pieno potenziale. Per ulteriori informazioni, visitare NEC all'indirizzo www.nec.com.

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