Mitsubishi Electric e Nexperia co-svilupperanno semiconduttori di potenza SiC

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13 novembre 2023

Mitsubishi Electric Corp, con sede a Tokyo, sta avviando una partnership strategica con il progettista e produttore di dispositivi discreti Nexperia BV di Nijmegen, Paesi Bassi (una filiale di Wingtech Technology Co Ltd) per sviluppare congiuntamente semiconduttori di potenza in carburo di silicio (SiC) per il mercato dell'elettronica di potenza. Mitsubishi Electric sfrutterà le sue tecnologie di semiconduttori ad ampio gap di banda per sviluppare e fornire chip MOSFET SiC che Nexperia utilizzerà per sviluppare dispositivi discreti SiC.

L’espansione globale del mercato dei veicoli elettrici sta contribuendo a stimolare la crescita esponenziale dei semiconduttori di potenza SiC, che offrono minori perdite di energia, temperature operative più elevate e velocità di commutazione più elevate rispetto ai tradizionali semiconduttori di potenza in silicio. Si prevede che l’elevata efficienza dei semiconduttori di potenza SiC contribuirà in modo significativo alla decarbonizzazione globale e alla trasformazione verde.

Mitsubishi Electric afferma di aver conquistato posizioni di leadership in applicazioni quali treni ad alta velocità, applicazioni industriali ad alta tensione ed elettrodomestici, dopo aver lanciato i primi moduli di potenza SiC per condizionatori d'aria nel 2010 ed essere diventato il primo fornitore di un modulo di potenza interamente SiC modulo per i treni ad alta velocità Shinkansen nel 2015. Mitsubishi Electric afferma di aver accumulato esperienza nello sviluppo e nella produzione di moduli di potenza SiC, noti per le loro prestazioni avanzate e l'elevata affidabilità.

Guardando al futuro, Mitsubishi Electric prevede di rafforzare la propria partnership con Nexperia, i cui dispositivi sono utilizzati nei mercati automobilistico, industriale, mobile e di consumo, contribuendo alla decarbonizzazione e alla sostenibilità. Mitsubishi Electric mira a continuare a migliorare le prestazioni e la qualità dei suoi chip SiC e concentrarsi sullo sviluppo di moduli di potenza utilizzando tecnologie di moduli proprietarie.

“This mutually beneficial strategic partnership with Mitsubishi Electric represents a significant stride in Nexperia’s silicon carbide journey,” believes Mark Roeloffzen, senior VP & general manager of Nexperia’s Bipolar Discretes business group. “Mitsubishi Electric has a strong track record as a supplier of technically proven SiC device and modules. Combined with Nexperia’s high quality standards and expertise in discrete products and packaging, we will certainly generate positive synergies between both companies – ultimately enabling our customers to deliver highly energy-efficient products in the industrial, automotive or consumer markets they serve,” he adds.

"Nexperia è un'azienda leader nel settore industriale con tecnologie collaudate per semiconduttori discreti di alta qualità", commenta Masayoshi Takemi, amministratore delegato e presidente del gruppo, Semiconductor & Device presso Mitsubishi Electric. “Siamo lieti di entrare in questa partnership di co-sviluppo che sfrutterà le tecnologie dei semiconduttori di entrambe le società”.

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Tag: Mitsubishi Electric MOSFET di potenza SiC

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