Navitas evidenzia le applicazioni GaN e SiC all'APEC

Ripubblicato da Platone

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2 Febbraio 2024

Nel suo stand 'Planet Navitas' n. 1353 alla Applied Power Electronics Conference (APEC 2024) presso il Long Beach Convention & Entertainment Center, Long Beach, CA, USA (26-29 febbraio), si sono presentati circuiti integrati di potenza al nitruro di gallio (GaN) e silicio L'azienda tecnologica al carburo (SiC) Navitas Semiconductor Corp di Torrance, California, USA sta evidenziando come la tecnologia GaN e SiC stia abilitando le soluzioni più recenti per abitazioni, trasporti e industria completamente elettrificati. Gli esempi spaziano dall'alimentazione della TV ai motori e ai compressori degli elettrodomestici, alla ricarica dei veicoli elettrici (EV), alle installazioni solari/micro-reti e ai sistemi di alimentazione dei data center. Ciascuno evidenzia i vantaggi per l'utente finale, come maggiore portabilità, raggio d'azione più lungo, ricarica più rapida e indipendenza dalla rete, oltre a un focus su come la tecnologia GaN e SiC a basso impatto di carbonio può far risparmiare oltre 6 Gton/anno di CO2 by 2050.

"I portafogli complementari GaNFast e GeneSiC, con un supporto completo e specifico per la progettazione di sistemi, accelerano il time-to-market dei clienti con vantaggi prestazionali sostenibili", afferma Dan Kinzer, direttore operativo/direttore tecnologico e co-fondatore. "'Planet Navitas' rappresenta l'implementazione reale e stimolante di GaN e SiC nell'enorme opportunità di mercato da 22 miliardi di dollari l'anno."

I principali aggiornamenti e rilasci tecnologici includono GaNSafe (considerato l'alimentatore GaN più protetto, più affidabile e con le prestazioni più elevate al mondo), circuiti integrati Half-Bridge GaNSense Gen-4 (i dispositivi GaN più integrati), alimentazione SiC veloce Gen-3 FET (per prestazioni ad alta potenza) e GaN bidirezionale (per applicazioni di azionamento di motori e accumulo di energia).

Presentazioni tecniche di Navitas all'APEC

27 febbraio

8:55 (IS05.2), "Riduzione dei costi di sistema con HEMT GaN nelle applicazioni di azionamento di motori" di Alfred Hesener (direttore senior Industrial & Consumer);
10:40 (PSTT02.6), "Un modulo di alimentazione CC/CC da 400 W ad alta densità con trasformatore planare integrato e circuito integrato GaN a mezzo ponte" di Bin Li (direttore Applications);
11:40 (PSTT01.9), "Un metodo di ottimizzazione per le perdite planari degli avvolgimenti del trasformatore in un convertitore flyback multi-uscita basato su GaN" di Xiucheng Huang (direttore senior);
3:45 (località: 101B), presentazione dell'espositore "Elettrifica il nostro mondo" con GaNFast e GeneSiC Power di nuova generazione, di Dan Kinzer.

29 febbraio

8:30–11:20 (IS19), "SiC e innovazioni del pacchetto nei moduli di potenza", presidente della sessione Stephen Oliver (VP marketing aziendale e IR);
8:55 (PSTIS21.2), "Le topologie GaN Half-Bridge Power IC e AHB/Totem-Pole consentono una soluzione PD240 da 150 W, 3.1 cc con un'efficienza del 95.5%" di Tom Ribarich (direttore senior Marketing strategico);
1:30–3:10 (IS27), "Applicazioni emergenti per l'elettronica di potenza", presidente della sessione Llew Vaughan-Edmunds (direttore senior GeneSiC);
2:20 (IS27-3), "SiC ad alta tensione ottimizzato per la ricarica da megawatt nel trasporto di veicoli elettrici a lungo raggio" di Stephen Oliver e Llew Vaughan-Edmunds.

Fiera del lavoro per studenti

27 febbraio

1:30-5 (Regency Ballroom ABC dell'hotel Hyatt Regency, vicino al Long Beach Convention Center), con Shaun Sandera, responsabile senior delle risorse umane di Navitas.

Tag: Elettronica di potenza

Visita: www.navitassemi.com