NEC mengembangkan power amplifier berkapasitas tinggi dan berkecepatan tinggi untuk jaringan generasi mendatang

NEC mengembangkan power amplifier berkapasitas tinggi dan berkecepatan tinggi untuk jaringan generasi mendatang

Node Sumber: 1907578

TOKYO, 19 Jan 2023 - (JCN Newswire) - NEC Corporation (NEC; TSE: 6701) telah mengembangkan power amplifier yang akan berfungsi sebagai perangkat utama untuk akses seluler dan peralatan komunikasi nirkabel fronthaul/backhaul untuk memungkinkan kecepatan tinggi, tinggi -kapasitas komunikasi untuk jaringan 5G Advanced dan 6G. Penguat daya ini menggunakan teknologi GaAs yang dapat diproduksi secara massal dan telah mencapai daya keluaran(*) tertinggi di dunia sebesar 10 mW pada pita 150 GHz. Memanfaatkan hal ini, NEC bertujuan untuk mempercepat pengembangan peralatan dan implementasi sosial.

Penguat daya D band yang baru dikembangkan

5G Advanced dan 6G diharapkan menghadirkan komunikasi berkapasitas tinggi berkecepatan tinggi 100 Gbps, setara dengan 10 kali kecepatan 5G saat ini. Hal ini dapat dicapai secara efektif melalui penggunaan pita sub-terahertz (100 hingga 300 GHz), yang dapat memberikan bandwidth lebar 10 GHz atau lebih. Secara khusus, diharapkan komersialisasi awal pita D (130 hingga 174.8 GHz), yang dialokasikan secara internasional untuk komunikasi nirkabel tidak bergerak.

NEC terus membuat kemajuan dalam pengembangan teknologi dengan memanfaatkan pengetahuannya tentang pita frekuensi tinggi yang dikembangkan melalui pengembangan dan pengoperasian peralatan radio untuk BTS 5G dan PASOLINK, sistem komunikasi gelombang mikro ultra-kompak yang menghubungkan BTS melalui komunikasi nirkabel.

Penguat daya yang baru dikembangkan ini menggunakan proses pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) 0.1 μm gallium arsenide (GaAs) yang tersedia secara komersial. Dibandingkan dengan CMOS dan silikon germanium (SiGe) yang digunakan untuk pita sub-terahertz, pHEMT GaAs memiliki tegangan operasi yang tinggi dan biaya awal yang lebih rendah untuk produksi massal.

Dalam hal desain sirkuit, penguat daya ini menghilangkan faktor-faktor yang menurunkan kinerja pada pita frekuensi tinggi dan menggunakan konfigurasi jaringan pencocokan impedansi yang sesuai untuk daya keluaran tinggi. Hal ini menghasilkan pencapaian karakteristik frekuensi tinggi yang sangat baik antara 110 GHz dan 150 GHz serta daya keluaran tertinggi di dunia untuk pHEMT GaAs.

Selain mewujudkan peralatan komunikasi radio berperforma tinggi dan murah di atas 100 GHz, power amplifier ini akan mempercepat implementasi sosial 5G Advanced dan 6G.

Ke depannya, NEC akan terus mengembangkan teknologi yang ditujukan untuk mencapai komunikasi nirkabel berkecepatan tinggi, berkapasitas tinggi, dan hemat biaya untuk 5G Advanced dan 6G.

Penelitian ini didukung oleh Kementerian Dalam Negeri dan Komunikasi Jepang (JPJ000254).

NEC akan mengumumkan rincian lebih lanjut mengenai teknologi ini di IEEE Topical Conference on RF/Microwave Power Amplifiers for Radio and Wireless Applications (PAWR2023), sebuah konferensi internasional yang dijadwalkan akan diadakan di Las Vegas, Nevada, AS mulai tanggal 22 Januari 2023.

(*) Menurut riset NEC per 19 Januari 2023.

Tentang NEC Corporation

NEC Corporation telah memantapkan dirinya sebagai pemimpin dalam integrasi teknologi TI dan jaringan sambil mempromosikan pernyataan merek "Mengatur dunia yang lebih cerah." NEC memungkinkan dunia usaha dan komunitas untuk beradaptasi terhadap perubahan cepat yang terjadi di masyarakat dan pasar karena NEC memberikan nilai-nilai sosial keselamatan, keamanan, keadilan dan efisiensi untuk mendorong dunia yang lebih berkelanjutan di mana setiap orang memiliki kesempatan untuk mencapai potensi penuh mereka. Untuk informasi lebih lanjut, kunjungi NEC di www.nec.com.

Stempel Waktu:

Lebih dari Kawat Berita JCN