Actualités : Microelectronics
24 mai 2023
Cambridge GaN Devices Ltd (CGD) - qui a été issu du groupe de conversion de l'énergie électrique et de l'énergie du département d'ingénierie de l'Université de Cambridge en 2016 et conçoit, développe et commercialise des transistors de puissance et des circuits intégrés qui utilisent des substrats GaN sur silicium - a introduit un gamme de cartes d'interface d'application qui permettent aux concepteurs d'essayer ses transistors à haute mobilité électronique (HEMT) ICeGaN dans des circuits existants à la place de dispositifs MOSFET ou GaN concurrents sans avoir à re-disposer le PCB.
Les cartes d'interface d'application sont des circuits imprimés adaptateurs qui sont soudés à un dispositif ICeGaN, qui mappent chaque broche/signal de l'empreinte HEMT ICeGaN aux broches/signaux correspondants d'une empreinte de composant alternative.
« Ces cartes d'interface d'application sont conçues à des fins de conception et d'évaluation uniquement, bien sûr. Il s'agit d'une première étape rapide pour permettre à l'utilisateur d'intégrer l'un de nos CI ICeGaN dans une conception existante », déclare Peter Comiskey, directeur de l'ingénierie des applications. "Il y a un impact mineur sur les performances thermiques, mais étonnamment peu de différence dans les performances CEM ou électriques."
CGD propose des cartes d'interface d'application pour un certain nombre d'appareils standard de l'industrie des principaux fabricants d'appareils MOSFET et GaN. Une liste complète se trouve sur le mode d'emploi, mais l'entreprise peut également développer une carte d'interface d'application pour les appareils actuellement non pris en charge pour une livraison dans les quatre semaines.
Les HEMT ICeGaN de CGD disponibles en grande quantité
Dispositifs d'alimentation GaN
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- La source: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/may/cgd-240523.shtml
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