Navitas présente les applications GaN et SiC à l'APEC

Republié par Platon

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2 Février 2024

Sur son stand n° 1353 « Planet Navitas » à l'Applied Power Electronics Conference (APEC 2024) au Long Beach Convention & Entertainment Center, Long Beach, Californie, États-Unis (26-29 février), des circuits intégrés de puissance en nitrure de gallium (GaN) et du silicium La société de technologie du carbure (SiC) Navitas Semiconductor Corp de Torrance, Californie, États-Unis, souligne comment la technologie GaN et SiC permet les dernières solutions pour les logements, les transports et l'industrie entièrement électrifiés. Les exemples vont de l'alimentation des téléviseurs aux moteurs et compresseurs d'appareils électroménagers, en passant par la recharge des véhicules électriques (VE), les installations solaires/micro-réseaux et les systèmes d'alimentation des centres de données. Chacun met en avant les avantages pour l'utilisateur final, tels qu'une portabilité accrue, une autonomie plus longue, une charge plus rapide et une indépendance du réseau, ainsi qu'un accent sur la façon dont la technologie GaN et SiC à faible empreinte carbone peut économiser plus de 6 Gtonnes/an de CO.2 dès 2050.

« Les portefeuilles complémentaires GaNFast et GeneSiC, avec un support complet de conception de systèmes spécifiques aux applications, accélèrent les délais de mise sur le marché des clients avec des avantages de performance durables », déclare Dan Kinzer, directeur de l'exploitation/directeur de la technologie et co-fondateur. « « Planet Navitas » représente la mise en œuvre très réelle et inspirante du GaN et du SiC sur une vaste opportunité de marché de 22 milliards de dollars par an. »

Les principales mises à jour et versions technologiques incluent GaNSafe (prétendument être l'alimentation GaN la plus protégée, la plus fiable et la plus performante au monde), les circuits intégrés GaNSense Half-Bridge Gen-4 (les dispositifs GaN les plus intégrés), l'alimentation Gen-3 Fast SiC. FET (pour des performances haute puissance) et GaN bidirectionnel (pour les applications de commande de moteur et de stockage d'énergie).

Présentations techniques de Navitas à l'APEC

27 Février

8h55 (IS05.2), « Réduire les coûts du système avec les HEMT GaN dans les applications d'entraînement moteur » par Alfred Hesener (directeur principal de l'industrie et des consommateurs) ;
10h40 (PSTT02.6), « Un module d'alimentation CC/CC haute densité de 400 W avec transformateur planaire intégré et circuit intégré GaN en demi-pont » par Bin Li (directeur des applications) ;
11h40 (PSTT01.9), « Une méthode d'optimisation pour les pertes d'enroulement de transformateur planaire dans un convertisseur flyback multi-sorties basé sur GaN » par Xiucheng Huang (directeur principal) ;
3h45 (lieu : 101B), présentation des exposants « Electrify Our World » avec Next-gen GaNFast et GeneSiC Power », par Dan Kinzer.

29 Février

8 h 30 à 11 h 20 (IS19), « Innovations SiC et packages dans les modules de puissance », président de la session Stephen Oliver (VP marketing d'entreprise et IR) ;
8h55 (PSTIS21.2), « Les circuits intégrés de puissance GaN Half-Bridge et les topologies AHB/Totem-Pole permettent une solution PD240 de 150 W, 3.1 cc avec une efficacité de 95.5 % » par Tom Ribarich (directeur principal du marketing stratégique) ;
1h30-3h10 (IS27), « Applications émergentes pour l'électronique de puissance », président de session Llew Vaughan-Edmunds (directeur principal GeneSiC) ;
2h20 (IS27-3), « SiC haute tension optimisé pour la recharge en mégawatts dans le transport routier longue distance de véhicules électriques » par Stephen Oliver et Llew Vaughan-Edmunds.

Salon de l'emploi étudiant

27 Février

1h30-5h (Regency Ballroom ABC de l'hôtel Hyatt Regency, à côté du Long Beach Convention Center), avec Shaun Sandera, directeur des ressources humaines de Navitas.

Mots clés: L'électronique de puissance

Visite: www.navitassemi.com