STMicroelectronics, l'un des principaux fabricants européens de puces, a été tenu responsable de violant les règles de l'Université Purdue brevet lié à transistor technologie. Cette décision, rendue par un jury dans un West Texas tribunal, a abouti à un verdict de dommages et intérêts de 32.5 millions de dollars. Le jury a soutenu l'argument de Purdue selon lequel l'utilisation par ST de carbure de silicium oxyde métallique semi-conducteur transistors à effet de champ (MOSFETs) dans les chargeurs de véhicules électriques et autres appareils violait les droits de brevet de l'université spécifiquement relatifs aux transistors conçus pour les « applications d'alimentation haute tension ». En réponse, un porte-parole de ST a annoncé l'intention de la société de contester le verdict en interjetant appel.
Michel Rivage, un avocat représentant Purdue, a mis en évidence des preuves convaincantes contre ST, suggérant d'éventuelles redevance dépassant les 100 millions de dollars avant l'expiration du brevet en 2026.
Les MOSFET jouent un rôle essentiel dans les appareils électroniques en contrôlant et en amplifiant le flux électrique. Purdue a engagé une action en justice contre ST en 2021, alléguant que les MOSFET de l'entreprise enfreint sur deux de ses brevets sur la technologie des transistors. Cependant, l'un des brevets de Purdue a été retiré du dossier par l'université de West Lafayette, Indiana l'année dernière. ST a contesté ces accusations, arguant que le brevet Purdue restant était invalide.
Le litige est connu sous le nom de Purdue University c. STMicroelectronics International NV et a été déposé auprès du Tribunal de district des États-Unis pour le district ouest du Texas dans le cas n° 6:21-cv-00727.
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- La source: https://www.iniplaw.org/legal-verdict-stmicroelectronics-liable-for-32-5m-damages-to-purdue-university-in-transistor-technology-patent-case/
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