Transistorin suorituskyvyn parantaminen 2D-materiaalipohjaisella kosketusvastuksen vähentämisellä

Nykyaikaisen elektroniikan kehitys on vahvasti riippuvainen transistorien suorituskyvystä. Transistorit ovat olennaisia ​​komponentteja elektronisissa piireissä, ja niiden suorituskyky määräytyy suurelta osin lähde- ja nieluelektrodien välisen kosketusvastuksen mukaan. Sellaisenaan kosketusvastuksen vähentäminen on tärkeä tekijä transistorin suorituskyvyn parantamisessa.

Viime aikoina tutkijat ovat tutkineet kaksiulotteisten (2D) materiaalien käyttöä transistorien kosketusvastuksen vähentämiseksi. 2D-materiaalit ovat atomisesti ohuita materiaalikerroksia, kuten grafeeni, molybdeenidisulfidi ja boorinitridi. Nämä materiaalit ovat erittäin johtavia ja niillä on alhainen kosketusvastus, joten ne ovat ihanteellisia käytettäväksi transistoreissa.

Alhaisen kosketusvastuksensa lisäksi 2D-materiaalit tarjoavat myös muita etuja perinteisiin materiaaleihin verrattuna. Ne ovat esimerkiksi kevyitä, joustavia ja helposti integroitavissa olemassa oleviin elektroniikkakomponentteihin. Lisäksi niillä voidaan luoda laitteita, joilla on suurempi kytkentänopeus ja parannettu tehotehokkuus.

Tutkijat ovat osoittaneet, että 2D-materiaalit voivat vähentää kosketusresistanssia transistoreissa jopa 50 %. Tämä kosketusresistanssin pieneneminen voi parantaa transistorin suorituskykyä, mukaan lukien suurempia kytkentänopeuksia ja parempaa tehotehokkuutta. Lisäksi 2D-materiaalien käyttö voi pienentää transistorien kokoa, mikä mahdollistaa kompaktimpien elektronisten laitteiden valmistuksen.

2D-materiaalien käyttö kosketusvastuksen vähentämiseen on vielä alkuvaiheessa. Tutkijat ovat kuitenkin optimistisia, että tämä tekniikka voi mullistaa tavan, jolla transistorit suunnitellaan ja valmistetaan. Jos 2D-materiaalit onnistuvat, ne voivat mahdollistaa nopeampien ja tehokkaampien transistoreiden kehittämisen, joita voitaisiin käyttää monissa sovelluksissa.

Kaiken kaikkiaan 2D-materiaalien käyttö kosketusvastuksen vähentämiseen voi parantaa merkittävästi transistorin suorituskykyä. Pienentämällä kosketusvastusta transistorit voivat toimia nopeammin ja tehokkaammin, mikä johtaa parempaan suorituskykyyn useissa elektronisissa laitteissa. Kun tämän tekniikan tutkimus jatkuu, on todennäköistä, että näemme transistorien suorituskyvyssä lisää parannuksia lähitulevaisuudessa.

• SEO-pohjainen sisällön ja PR-jakelu. Vahvista jo tänään.
• Platoblockchain. Web3 Metaverse Intelligence. Tietoa laajennettu. Pääsy tästä.
• Lähde: Platon Data Intelligence: PlatoAiStream