Teledyne e2v HiRel lisää avaruussuojatut versiot 100V, 90A ja 650V, 30A GaN HEMT:istä

Teledyne e2v HiRel lisää avaruussuojatut versiot 100V, 90A ja 650V, 30A GaN HEMT:istä

Aikaleima: 21. joulukuuta 2023 11
Lähdesolmu: 3031759

Uutiset: Microelectronics

21 joulukuu 2023

Teledyne e2v HiRel Electronics Milpitasista, Kaliforniasta, USA (osa Teledyne Defense Electronics Groupia, joka tarjoaa ratkaisuja, osajärjestelmiä ja komponentteja avaruus-, kuljetus-, puolustus- ja teollisuusmarkkinoille) on lisännyt uusia avaruussuojattuja versioita 100V, 90A:staan. ja 650 V:n, 30 A:n erittäin luotettavat galliumnitriditransistorit, joilla on suuri elektronin liikkuvuus (GaN HEMT).

Uudet osat TDG650E30BSP, TDG100E90BSP ja TDG100E90TSP käyvät NASAn tason 1 tai ESA Class 1 -seulontavirran läpi, ja ne voidaan nostaa täyden tason 1 mukaisiksi ylimääräisellä pätevyystestauksella, jos niin halutaan. Tyypillisiä sovelluksia ovat akunhallinta, DC–DC-muuntimet ja avaruusmoottorikäytöt.

Kaksi uutta 100 V osaa on saatavana sekä pohja- että yläpuolelta jäähdytetyllä pakkauksella. Yksi uusi 650V 30A GaN-on-pii tehotransistori on saatavilla pohjapuolelta jäähdytetyssä pakkauksessa. Jokainen laite on saatavana EAR99- tai eurooppalaisen hankintavaihtoehdon kanssa.

Teledyne e2v HiRelin GaN HEMT:t sisältävät yhden kiekon jäljitettävyyden, suorituskyvyn pidennetyssä lämpötilassa -55 °C:sta +125 °C:seen ja alhaisen induktanssin, alhaisen lämmönkestävyyden.

Teledyne e2v HiRelin avaruussuojatut GaN HEMT:t.

Kuva: Teledyne e2v HiRelin avaruussuojatut GaN HEMT:t.

"Asiakkaamme ovat ottaneet vastaan ​​aiemman 650 V:n avaruussuojattujen laitteiden julkaisun, ja olemme laajentaneet valikoimaamme tarjotaksemme lisävaihtoehtoja", sanoo Mont Taylor, liiketoiminnan kehitysjohtaja. "Nämä GaN HEMT -tuotteet säästävät asiakkaiden aikaa ja rahaa tarjoamalla vakiolaitteita ilman lisätarkastuksia", hän lisää. "Laajennettu luettelomme, jossa on vakiopoltto, helpottaa suunnittelijoiden hyödyntää uusinta GaN:ää suunnittelussaan."

Galliumnitridilaitteet ovat mullistaneet tehon muuntamisen muilla teollisuudenaloilla, ja ne ovat nyt saatavilla säteilyä kestävinä, muovikoteloituina vaihtoehtoina, jotka on läpäissyt tiukat luotettavuus- ja sähkötestit toiminnan kannalta kriittisen menestyksen varmistamiseksi. Uusien GaN HEMT -laitteiden julkaisun sanotaan tuovan kriittisissä ilmailu- ja puolustusvoimasovelluksissa vaadittavat tehokkuus-, koko- ja tehotiheysedut.

Kaikki kolme uutta laitetta toimitetaan yrityksen DoD Trusted Facilitysta Milpitasissa, ja ne ovat nyt tilattavissa ja ostettavissa välittömästi Teledyne e2v HiReliltä tai valtuutetulta jälleenmyyjältä.

Katso aiheet:

Teledyne e2v HiRel lisää suuritehoiset GaN HEMT:t 650 V perheeseen

Tunnisteet: GaN-on-SiC HEMT

Visit: www.tdehirel.com

Aikaleima:

Lisää aiheesta Puolijohde tänään