Kuusikulmainen boorinitridi-memristori nikkelielektrodeilla: virranjohtamismekanismit ja resistiivinen kytkentäkäyttäytyminen (RWTH Aachen)

RWTH Aachenin yliopiston ja Peter Gruenberg -instituutin tutkijat julkaisivat uuden teknisen asiakirjan nimeltä "Resistiiviset kytkentä- ja virranjohtamismekanismit kuusikulmaisissa boorinitridikynnysmemristoreissa nikkelielektrodeilla".

Tiivistelmä:

”2D-eristemateriaali kuusikulmainen boorinitridi (h-BN) on herättänyt paljon huomiota muistilaitteiden aktiivisena väliaineena sen suotuisten fysikaalisten ominaisuuksiensa ansiosta, muun muassa leveän kaistanvälin ansiosta, joka mahdollistaa suuren kytkentäikkunan. Metallifilamenttien muodostusta suositellaan usein h-BN-laitteille resistiiviseksi kytkentämekanismiksi (RS), jota yleensä tukevat erittäin erikoistuneet menetelmät, kuten johtava atomivoimamikroskopia (C-AFM) tai transmissioelektronimikroskooppi (TEM). Tässä tutkitaan monikerroksisten kuusikulmainen boorinitridi (h-BN) kynnysmemristoreiden kytkentä kahdella nikkeli (Ni) elektrodilla niiden virranjohtamismekanismien kautta. Sekä korkea- että matalaresistanssin tilat analysoidaan lämpötilasta riippuvaisilla virta-jännitemittauksilla. Nikkelifilamenttien muodostumista ja vetäytymistä h-BN-kalvon boorivikoja pitkin ehdotetaan resistiiviseksi kytkentämekanismiksi. Sähköiset tiedot on vahvistettu TEM-analyyseillä, jotta lämpötilariippuvaiset virta-jännitemittaukset ovat arvokas työkalu 2D-materiaaleista valmistettujen memristoreiden resistiivisten kytkentäilmiöiden analysointiin. Memristoreissa on laaja ja viritettävä virran toiminta-alue ja alhaiset valmiusvirrat h-BN-pohjaisten kynnyskytkimien tekniikan tason mukaisesti, alhainen 5 %:n vaihtelu jaksojen välillä ja suuri virta. /Pois-suhde 10⁷"

Etsi tekninen paperi täällä. Julkaistu toukokuussa 2023.

Völkel, L., Braun, D., Belete, M., Kataria, S., Wahlbrink, T., Ran, K., Kistermann, K., Mayer, J., Menzel, S., Daus, A., Lemme, MC, Resistiiviset kytkentä- ja virranjohtamismekanismit kuusikulmaisissa boorinitridikynnysmemristoreissa nikkelielektrodeilla. Adv. Funet. Mater. 2023, 2300428. https://doi.org/10.1002/adfm.202300428.

• SEO-pohjainen sisällön ja PR-jakelu. Vahvista jo tänään.
• PlatoAiStream. Web3 Data Intelligence. Tietoa laajennettu. Pääsy tästä.
• Tulevaisuuden lyöminen Adryenn Ashley. Pääsy tästä.
• Osta ja myy osakkeita PRE-IPO-yhtiöissä PREIPO®:lla. Pääsy tästä.
• Lähde: https://semiengineering.com/hexagonal-boron-nitride-memristors-with-nickel-electrodes-current-conduction-mechanisms-resistive-switching-behavior-rwth-aachen/