Memoria y diseño digital de alta velocidad

Memoria y diseño digital de alta velocidad

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Salvaguardar la integridad de la señal con versiones nuevas y más rápidas de DRAM.

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A medida que la DRAM se vuelve más rápida, las limitaciones de tiempo, la fluctuación y la integridad de la señal se vuelven más difíciles de controlar. El verdadero desafío es comprender qué puede salir mal en las primeras etapas del proceso de diseño, y eso se vuelve más complejo con cada nueva versión de memoria y velocidades de señal más altas. Stephen Slater, gerente de productos EDA en Keysight, habla sobre cómo se puede aplicar la simulación a estos problemas, qué probar y por qué las nuevas memorias hacen que sea más difícil lograr un patrón de señal óptimo.

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ann muschler

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Ann Mutschler es editora ejecutiva de Semiconductor Engineering.

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