Rechtsurteil: STMicroelectronics haftet für 32.5 Mio. US-Dollar Schadensersatz an der Purdue University im Patentverfahren für Transistortechnologie

STMicroelectronics, ein führender europäischer Chiphersteller, wurde dafür zur Verantwortung gezogen Verstoß gegen die Richtlinien der Purdue University Patent Ähnliche Transistor Technologie. Dieses Urteil, gefällt von einer Jury in a West-Texas Das Gericht führte zu einem Schadensersatzurteil in Höhe von 32.5 Millionen US-Dollar. Die Jury unterstützte Purdues Argument, dass ST die Verwendung von Siliziumkarbid Metalloxid Halbleiter Feldeffekttransistoren (MOSFETs) in Ladegeräten für Elektrofahrzeuge und anderen Geräten verstieß gegen die Patentrechte der Universität, die sich speziell auf Transistoren beziehen, die für „Hochspannungsanwendungen“ entwickelt wurden. Als Reaktion darauf kündigte ein ST-Sprecher an, dass das Unternehmen beabsichtige, das Urteil anzufechten und Berufung einzulegen.

Michael Ufer, ein Anwalt, der Purdue vertritt, hob überzeugende Beweise gegen ST hervor und deutete auf mögliche weitere Beweise hin Lizenzgebühren vor Ablauf des Patents im Jahr 100 mehr als 2026 Millionen US-Dollar betragen.

MOSFETs spielen in elektronischen Geräten eine entscheidende Rolle, indem sie den Stromfluss steuern und verstärken. Purdue leitete die Klage gegen ST im Jahr 2021 ein und behauptete, dass die MOSFETs des Unternehmens verletzt auf zwei seiner Transistortechnologie-Patente. Eines von Purdues Patenten wurde jedoch XNUMX von der Universität aus dem Fall entfernt West Lafayette, Indiana letztes Jahr. ST bestritt die Vorwürfe mit der Begründung, dass das verbleibende Purdue-Patent ungültig sei.

Der Rechtsstreit ist als Purdue University gegen STMicroelectronics International NV bekannt und wurde im eingereicht US-Bezirksgericht für den Western District von Texas unter Aktenzeichen 6:21-cv-00727.

Urteil

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• Quelle: https://www.iniplaw.org/legal-verdict-stmicroelectronics-liable-for-32-5m-damages-to-purdue-university-in-transistor-technology-patent-case/