新闻： 微电子
24 May 2023
Cambridge GaN Devices Ltd (CGD) 于 2016 年从剑桥大学工程系电力和能源转换小组中分离出来，致力于设计、开发和商业化使用硅基 GaN 衬底的功率晶体管和 IC。一系列应用接口板，允许设计人员在现有电路中尝试其 ICeGaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，以代替竞争的 MOSFET 或 GaN 器件，而无需重新布局 PCB。
应用接口板是焊接到 ICeGaN 器件的适配器 PCB，它将 ICeGaN HEMT 封装中的每个引脚/信号映射到替代组件封装的相应引脚/信号。
“当然，这些应用接口板仅用于设计和评估目的。 这是快速的第一步，使用户能够将我们的 ICeGaN IC 放入现有设计中，”应用工程总监 Peter Comiskey 说道。 “对热性能有一些轻微影响，但令人惊讶的是 EMC 或电气性能差异很小。”
CGD 为来自领先 MOSFET 和 GaN 器件制造商的多种行业标准器件提供应用接口板。 完整列表可以在 用户指南，但该公司还可以为目前不支持的设备开发应用接口板，并在四个星期内交付。
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- Sumber: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/may/cgd-240523.shtml
