Aixtron 推出用于功率和射频器件的 G10-GaN MOCVD 平台

Aixtron 推出用于功率和射频器件的 G10-GaN MOCVD 平台

时间戳记：6年2023月9日上午07:XNUMX
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新闻： 供应商

6 September 2023

在台北举行的 SEMICON 台湾 2023 活动（6 月 8 日至 10 日）上，位于德国亚琛附近黑措根拉特的沉积设备制造商 Aixtron SE 推出了用于氮化镓 (GaN) 的新型 GXNUMX-GaN 簇金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 平台基于 ) 的功率和射频 (RF) 器件，提供据称一流的性能、全新的紧凑设计以及每晶圆的总体最低成本。

图片：Aixtron 全新 G10-GaN MOCVD 系统。

“我们的新 G10-GaN 平台已获得美国领先器件制造商批量生产 GaN 功率器件的资格，”首席执行官兼总裁 Felix Grawert 博士表示。 他补充道：“新平台的每个洁净室区域的生产率是我们之前产品的两倍，同时将材料均匀性提高到了新的水平，为我们的客户释放了新的竞争力。” “GaN功率器件将在减少全球二氧化碳排放方面发挥决定性作用2 通过提供比传统硅更高效的功率转换，将损耗降低两到三倍。 我们预计这个市场将在本世纪末及以后持续增长。 如今，GaN 已经取代了移动设备中使用的快速充电器的硅，而且我们看到数据中心或太阳能应用的需求不断增长。”

20 多年来，Aixtron 一直致力于开发硅基氮化镓工艺和硬件。 其 AIX G5+ C 行星反应器是第一个全自动 GaN MOCVD 系统，得益于原位清洁和盒式到盒式自动化。 全新的 G10-GaN 集群解决方案建立在相同的基础之上，同时扩展了每一项性能指标。

该平台采用全新的紧凑布局，可利用最小的洁净室空间，并配备新颖的反应器入口，将材料均匀性提高两倍，从而实现最佳设备产量。 板载传感器辅以新的软件套件和指纹解决方案，以确保系统在运行后、所有流程模块的维护之间始终提供相同的性能，与上一代相比，设备正常运行时间延长 5% 以上。

该集群最多可配备三个工艺模块，凭借行星批量反应器技术，可提供创纪录的 15x200mm 晶圆产能，与之前的产品相比，每片晶圆的成本降低了 25%。

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