Navitas 凭借 GeneSiC SiCPAK 模块和裸片进入高功率市场

新闻： 微电子

9 May 2023

位于美国加利福尼亚州托伦斯的氮化镓 (GaN) 功率 IC 和碳化硅 (SiC) 技术公司 Navitas Semiconductor 凭借其在 SiCPAK 模块和裸片中的碳化硅功率产品，将其产品组合扩展到更高功率市场。

目标应用涵盖集中式和组串式太阳能逆变器、储能系统 (ESS)、工业运动、电动汽车 (EV) 车载充电器、EV 路边快速充电器、风能、不间断电源系统 (UPS)、双向微电网、DC-DC转换器和固态断路器。

从 650V 到 6500V，Navitas 声称拥有最广泛的 SiC 技术。 从最初的分立封装系列——从 8mm x 8mm 表面贴装 QFN 到通孔 TO-247——GeneSiC SiCPAK 是更高功率应用的初始直接切入点。 一个全面的功率模块路线图——包括高压 SiC MOSFET 和 MPS 二极管、GaN 功率 IC、高速数字隔离器和低压硅控 IC——正在制定中。

“凭借领先的电源、控制和隔离技术的完整产品组合，Navitas 将使客户能够加速从化石燃料和传统硅电源产品向新的可再生能源和下一代半导体的过渡，并提供更强大、更高效、快速的充电系统，”SiC 执行副总裁 Ranbir Singh 博士说。

SiCPAK 模块采用“压接”技术为电源电路提供紧凑的外形尺寸，并为最终用户提供具有成本效益的功率密集型解决方案。 这些模块建立在 GeneSiC 芯片上。 示例包括 SiCPAK 半桥模块，额定值为 6mΩ，1200V，采用沟槽辅助平面栅极 SiC MOSFET 技术。 SiC MOSFET 和 MPS 二极管的多种配置将可用于创建特定应用模块。 初始版本将包括额定值为 1200mΩ、6mΩ、12mΩ 和 20mΩ 的 30V 半桥模块。

在无铅 SiCPAK 中，每个 SiC 芯片都用银 (Ag) 烧结到模块的基板上，以实现卓越的冷却和可靠性。 基板本身是“直接键合铜”(DBC)，并使用活性金属钎焊 (AMB) 技术在氮化硅 (Si3N4) 陶瓷，适用于功率循环应用。 这种结构提供了据称具有出色的强度和柔韧性、抗断裂性和良好的导热性，可实现凉爽、可靠、长寿命的运行。

对于喜欢自己制作大功率模块的客户，所有 GeneSiC MOSFET 和 MPS 二极管均以裸片形式提供，具有金 (Au) 和铝 (Al) 顶面金属化。 零件现已提供给合格的客户。

标签： SiC功率模块

访问： www.navitassemi.com

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• Sumber: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/may/navitas-090523.shtml