在开发基于二维材料的晶体管时降低接触电阻

一篇题为“WS₂ 在界面处替换了硫原子的晶体管：第一性原理量子传输研究”，由国立阳明交通大学的研究人员发表。

抽象

“降低接触电阻是开发基于二维材料的晶体管的主要挑战之一。 在这项研究中，我们通过采用一种新型的部分硫取代的边缘接触金属/WSX/WS 进行第一性原理量子传输计算₂ 为了降低肖特基势垒高度，进而降低接触电阻。 在这里，硫替代物产生超材料 WSX 的一部分（X = P、As、F 和 Cl），使用 V 族或卤素原子替代 WS 一侧的硫原子₂ 单层。 我们进一步比较了这种硫替代物对界面金属化和键合的影响。 对于 p 型 Pt/WSP/WS，此类 WSX 缓冲触点的接触电阻低至 142 和 173 Ω·μm₂ 和 n 型 Ti/WSCl/WS₂ 边接触，分别。 此外，从头算分子动力学用于在室温下观察稳定的独立 WSX 单层。”

找到开放获取技术 纸在这里. 2023 年 XNUMX 月出版。

Chung, Chih-Hung, 等人。 “在界面处替换了硫原子的 WS2 晶体管：第一性原理量子传输研究。” 美国化学会欧米茄 (2023)。 https://doi.org/10.1021/acsomega.2c08275。

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• Sumber: https://semiengineering.com/reducing-contact-resistance-in-developing-transistors-based-on-2d-materials/