Navitas APEC - Plato AiStream V2.1 میں GaN اور SiC ایپلی کیشنز کو ہائی لائٹ کر رہے ہیں

افلاطون کے ذریعہ دوبارہ شائع کیا گیا۔

فالونگ: 0

2 فروری 2024

لانگ بیچ کنونشن اینڈ انٹرٹینمنٹ سینٹر، لانگ بیچ، CA، USA (1353-2024 فروری) میں اپلائیڈ پاور الیکٹرانکس کانفرنس (APEC 26) میں اپنے 'Planet Navitas' بوتھ #29 میں، گیلیم نائٹرائڈ (GaN) پاور آئی سی اور سلکان کاربائیڈ (SiC) ٹیکنالوجی فرم Navitas Semiconductor Corp of Torrance, CA, USA اس بات پر روشنی ڈال رہی ہے کہ کس طرح GaN اور SiC ٹیکنالوجی مکمل طور پر الیکٹریفائیڈ ہاؤسنگ، نقل و حمل اور صنعت کے لیے جدید ترین حل کو فعال کر رہی ہے۔ مثالیں TV پاور سے لے کر گھریلو آلات کی موٹرز اور کمپریسرز، الیکٹرک وہیکل (EV) چارجنگ، سولر/مائیکرو گرڈ تنصیبات، اور ڈیٹا سینٹر پاور سسٹم تک ہیں۔ ہر ایک اختتامی صارف کے فوائد کو نمایاں کرتا ہے، جیسے کہ بڑھتی ہوئی پورٹیبلٹی، لمبی رینج، تیز چارجنگ، اور گرڈ کی آزادی، نیز اس بات پر توجہ مرکوز کی گئی ہے کہ کم کاربن فوٹ پرنٹ GaN اور SiC ٹیکنالوجی کس طرح 6Gtons/سال CO سے زیادہ بچا سکتی ہے۔2 2050 کی طرف سے.

چیف آپریٹنگ آفیسر/چیف ٹیکنالوجی آفیسر اور شریک بانی ڈین کنزر کہتے ہیں، "جامع GaNFast اور GeneSiC پورٹ فولیوز، جامع، ایپلیکیشن کے لیے مخصوص سسٹم ڈیزائن سپورٹ کے ساتھ، صارفین کے وقت سے مارکیٹ کو پائیدار کارکردگی کے فوائد کے ساتھ تیز کرتا ہے۔" "'Planet Navitas' $22bn/سالہ مارکیٹ کے وسیع مواقع پر GaN اور SiC کے انتہائی حقیقی، متاثر کن نفاذ کی نمائندگی کرتا ہے۔"

اہم ٹیکنالوجی اپ ڈیٹس اور ریلیزز میں GaNSafe (دنیا کی سب سے زیادہ محفوظ، سب سے زیادہ قابل اعتماد اور اعلیٰ کارکردگی کی GaN پاور ہونے کا دعویٰ کیا گیا ہے)، Gen-4 GaNSense Half-Bridge ICs (سب سے زیادہ مربوط GaN ڈیوائسز)، Gen-3 Fast SiC پاور شامل ہیں۔ FETs (اعلی طاقت کی کارکردگی کے لیے)، اور دو طرفہ GaN (موٹر ڈرائیو اور انرجی اسٹوریج ایپلی کیشنز کے لیے)۔

APEC میں Navitas کی طرف سے تکنیکی پیشکشیں۔

27 فروری

8:55am (IS05.2)، 'موٹر ڈرائیو ایپلی کیشنز میں GaN HEMTs کے ساتھ سسٹم کی لاگت کو کم کرنا' بذریعہ الفریڈ ہیسنر (سینئر ڈائریکٹر انڈسٹریل اینڈ کنزیومر)؛
10:40am (PSTT02.6)، 'انٹیگریٹڈ پلانر ٹرانسفارمر اور ہاف برج GaN IC کے ساتھ ایک ہائی ڈینسٹی 400W DC/DC پاور ماڈیول' بِن لی (ڈائریکٹر ایپلیکیشنز)؛
11:40am (PSTT01.9)، Xiucheng Huang (سینئر ڈائریکٹر) کے ذریعے 'GAN بیسڈ ملٹی آؤٹ پٹ فلائی بیک کنورٹر میں پلانر ٹرانسفارمر وائنڈنگ لاسز کے لیے ایک اصلاحی طریقہ'؛
3:45pm (مقام: 101B)، نمائش کنندہ پریزنٹیشن ''Electrify our World'' with Next-gen GaNFast and GeneSiC Power'، بذریعہ ڈین کنزر۔

29 فروری

8:30-11:20am (IS19)، 'SiC اور پیکیج انوویشنز ان پاور ماڈیولز'، سیشن چیئر سٹیفن اولیور (VP کارپوریٹ مارکیٹنگ اور IR)؛
صبح 8:55am (PSTIS21.2)، 'GaN Half-Bridge Power IC اور AHB/Totem-Pole Topologies Enable 240W, 150cc, PD3.1 سلوشن 95.5 فیصد کارکردگی کے ساتھ' Tom Ribarich (سینئر ڈائریکٹر اسٹریٹجک مارکیٹنگ)؛
1:30–3:10pm (IS27)، 'Emerging Applications for Power Electronics'، سیشن چیئر Llew Vaughan-Edmunds (سینئر ڈائریکٹر GeneSiC)؛
2:20pm (IS27-3)، سٹیفن اولیور اور لیو وان-ایڈمنڈز کے ذریعے 'ای وی لانگ ہول ٹرکنگ میں میگا واٹ چارجنگ کے لیے ہائی وولٹیج SiC آپٹمائزڈ'۔