ST підвищує продуктивність електромобілів і запас ходу завдяки новим модулям живлення з карбіду кремнію

Перевидано Платоном

читають: 0

12 грудня 2022

STMicroelectronics з Женеви, Швейцарія, випустила нові високопотужні модулі з карбіду кремнію (SiC) для електромобілів (EV), які підвищують продуктивність і запас ходу. Зараз у виробництві модулі ACEPACK DRIVE були обрані для платформи електромобілів Hyundai E-GMP (яка використовується для Kia EV6 і кількох моделей).

П’ять нових модулів живлення на базі SiC MOSFET надають виробникам автомобілів гнучкі можливості вибору, охоплюючи вибір номінальної потужності та підтримку робочої напруги, яка зазвичай використовується в системах тяги електромобілів. Вміщені в пакет ST ACEPACK DRIVE, оптимізований для тягових застосувань, модулі живлення вважаються надійними (завдяки технології спікання), надійними та простими для виробників для інтеграції в приводи електромобілів. Внутрішньо основними силовими напівпровідниками є МОП-транзистори STPOWER SiC третього покоління (Gen3) ST, які поєднують у собі те, що, як стверджується, є провідними в галузі показниками якості (RDS(ON) x площа матриці) з дуже низькою енергією перемикання та надпродуктивністю при синхронному випрямленні.

«Рішення на основі карбіду кремнію ST дозволяють основним виробникам автомобільного обладнання задавати темп електрифікації при розробці майбутніх поколінь електромобілів», — говорить Марко Монті, президент Automotive and Discrete Group компанії ST. «Наша технологія SiC третього покоління забезпечує найбільшу щільність потужності та енергоефективність, що забезпечує чудову продуктивність автомобіля, запас ходу та час зарядки».

Hyundai Motor Company вибрала силові модулі ST ACEPACK DRIVE SiC-MOSFET Gen3 для своєї платформи електромобілів поточного покоління під назвою E-GMP. Зокрема, модулі будуть живити Kia EV6. «Модулі живлення ST на основі SiC MOSFET є правильним вибором для наших тягових інверторів, що забезпечує більший радіус дії», — каже Санг-Чеол Шін, команда проектування інверторів Hyundai Motor Group. «Співпраця між нашими двома компаніями зробила значний крок у напрямку більш екологічних електромобілів, використовуючи безперервні технологічні інвестиції ST, щоб стати провідним учасником напівпровідникової революції в електрифікації».

Компанія ST вже поставила пристрої STPOWER SiC для понад трьох мільйонів легкових автомобілів масового виробництва по всьому світу. Завдяки нещодавно анонсованому повністю інтегрованому заводу з виробництва підкладок SiC у Катанії, виробництво якого очікується у 2023 році, ST швидко рухається, щоб підтримати швидкий перехід ринку до електронної мобільності.

Модулі ST на 1200 В ADP280120W3, ADP360120W3 і ADP480120W3(-L) вже знаходяться у повному виробництві. 750 В ACEPACK DRIVE ADP46075W3 та ADP61075W3 будуть у повному обсязі до березня 2023 року. Вони забезпечують рішення plug-and-play для тягових інверторів, сумісне з прямим рідинним охолодженням і оснащене масивом pin-fin для ефективного розсіювання тепла. Зазначені для максимальної температури з’єднання 175°C, вони забезпечують довговічні та надійні з’єднання за допомогою пресової посадки та пластини, спечені на підкладку, щоб забезпечити подовжений термін служби в автомобільних застосуваннях. ST розширить портфоліо продуктів, включивши в нього версії ACEPACK DRIVE на основі біполярних транзисторів з ізольованим затвором (IGBT) і діодів.

Модулі оснащені технологією підкладки з активним металевим паянням (AMB), яка відома чудовою термічною ефективністю та механічною міцністю, для кожної підкладки встановлено спеціальний NTC (термістор з негативним температурним коефіцієнтом). Вони також доступні з вибором зварної або гвинтової шини, що забезпечує гнучкість для вирішення різних вимог монтажу. Опція з довгою шиною додатково розширює гнучкість, дозволяючи вибрати датчик Холла для моніторингу струму двигуна.

Дивіться пов’язані елементи:

ST побудує фабрику з карбіду кремнію в Катанії, Італія, за 730 млн євро

ST співпрацює з Semikron для інтеграції технології живлення SiC у приводи електромобілів

ST запускає третє покоління МОП-транзисторів STPOWER SiC

Ключові слова: STMicroelectronics SiC силовий MOSFET

Відвідайте: www.st.com