ROHM’s Fourth-gen SiC MOSFETs To Be Used In Hitachi Astemo’s EV Inverters

Перевидано Платоном

читають: 0

11 січня 2023

Японська компанія ROHM оголосила про впровадження своїх нових МОП-транзисторів четвертого покоління з карбіду кремнію (SiC) і мікросхем драйвера затвора в інвертори електромобілів (EV), виготовлені японським виробником автомобільних запчастин Hitachi Astemo Ltd.

Особливо для електромобілів інвертор, який відіграє центральну роль у системі приводу, потрібно зробити більш ефективним, щоб збільшити запас ходу та зменшити розмір бортової батареї, що підвищує очікування щодо силових пристроїв із SiC.

ROHM стверджує, що його останнє четверте покоління SiC МОП-транзисторів забезпечує покращену стійкість до короткого замикання разом із, як стверджується, найнижчим опором увімкнення в галузі, що дозволяє збільшити запас ходу електромобілів за рахунок зниження споживання електроенергії на 6% порівняно з кремнієві IGBT (розраховані за міжнародним стандартом тесту ефективності палива WLTC), якщо встановлено в головному інверторі.

Компанія Hitachi Astemo, яка протягом багатьох років розробляє передові технології для автомобільних двигунів і інверторів, уже має досвід роботи на ринку електромобілів, який стає все більш популярним. Однак це перший випадок, коли пристрої з SiC будуть використані для основної схеми інвертора для подальшого покращення продуктивності. Планується, що інвертори будуть постачатися автовиробникам з 2025 року, починаючи з Японії, а потім поширюючись за кордон.

ROHM заявляє, що в майбутньому, як постачальник силових пристроїв із SiC, він продовжуватиме зміцнювати свою лінійку та надавати рішення з енергопостачання, які сприятимуть технічним інноваціям у транспортних засобах шляхом поєднання технологій периферійних пристроїв, таких як мікросхеми керування, розроблені для максимального підвищення продуктивності.

Дивіться пов’язані елементи:

SiC МОП-транзистори четвертого покоління від ROHM будуть використовуватися в модулях живлення SEMIKRON eMPack для електромобілів

ROHM представляє SiC MOSFET четвертого покоління

Ключові слова: Ром SiC силовий MOSFET

Відвідайте: www.hitachiastemo.com/en

Відвідайте: www.rohm.com/web/global/sic-mosfet