Нанотехнології зараз - Прес-реліз: Прорив в оптичних властивостях MXenes - Двовимірні гетероструктури надають нові ідеї

Перевидано Платоном

читають: 0

Головна > прес > Прорив в оптичних властивостях MXenes – двовимірні гетероструктури дають нові ідеї

OA Z-сканування Nb2C/MoS2 і Nb2C з довжиною хвилі збудження (а) 1300 нм і (б) 1550 нм. Відповідні нелінійні криві пропускання при оптичній інтенсивності збудження показані на (c) і (d). (e) Встановлений параметр нелінійної оптики для порівняння. КРЕДИТ
ОАД

Анотація:
Нова публікація Opto-Electronic Advances, 10.29026/oea.2023.220162, обговорює прорив в оптичних властивостях MXenes.

Прорив в оптичних властивостях MXenes – двовимірні гетероструктури дають нові ідеї

Сичуань, Китай | Опубліковано 12 травня 2023 р

Двовимірні шаруваті матеріали — це новий клас матеріалів, які виявляють сильну та характерну взаємодію між світлом і речовиною, що пропонує широкі перспективи застосування в оптоелектронних пристроях і фотонних елементах. Ці матеріали охоплюють графен, сульфіди перехідних металів (TMDs), чорний фосфор (BP) та інші, які демонструють виняткові робочі характеристики, такі як надшвидкий відгук із широким спектром, надійні екситонні оптичні властивості та регульовану пряму оптичну заборонену зону.

MXenes представляють нещодавно відкритий клас двовимірних шаруватих матеріалів, які демонструють захоплюючі та регульовані оптичні, хімічні та електронні властивості та демонструють різноманітне застосування в таких галузях, як фотоелектрика, фототермічна конверсія та фотоелектрична енергетика. Крім того, MXenes демонструють сильні нелінійні оптичні відгуки, а їх нелінійне оптичне поглинання можна регулювати за товщиною, довжиною хвилі збудження та групами поверхні.

Крім того, побудова двовимірних гетероструктур представляє важливу стратегію для покращення оптоелектронних характеристик пристроїв, які використовують двовимірні матеріали. Застосовуючи ретельний дизайн, переваги властивостей кожного компонента в гетероструктурі можуть бути збережені, тоді як нові характеристики, такі як передача заряду або передача енергії, можуть бути створені за допомогою міжфазних ефектів.

Автори цієї статті пропонують простий і ефективний метод отримання гетероструктур Nb2C/MoS2 з покращеними як лінійними, так і нелінійними оптичними властивостями.

У цій роботі нанокристали MoS2 були успішно вирощені на поверхні нанолистів Nb2C in situ, що призвело до створення двовимірної гетероструктури Nb2C/MoS2. Було виявлено, що ця гетероструктура перевершує чистий Nb2C як у лінійній, так і в нелінійній оптиці.

Дослідження показує, що поверхнева група Nb2C може модулювати роботу виходу Nb2C/MoS2, що впливає на перенесення заряду та вирівнювання енергії між Nb2C і MoS2. У результаті Nb2C/MoS2 успадковує переваги Nb2C і MoS2 на різних довжинах хвиль і демонструє покращені характеристики широкосмугового оптичного поглинання.

Крім того, дослідження демонструє, що перенесення дірок від Nb2C до MoS2 призводить до модуляції нелінійного оптичного відгуку в гетероструктурі. Це також доводить, що Nb2C/MoS2 має сильніші та регульовані характеристики нелінійного оптичного поглинання в ближньому інфрачервоному діапазоні, ніж чистий Nb2C. Коефіцієнт нелінійного поглинання Nb2C/MoS2 більш ніж удвічі перевищує коефіцієнт чистого Nb2C, як показано на малюнку 1. Це дослідження представляє ефективний підхід до розробки широкосмугових оптоелектронних пристроїв і оптичних модуляторів. Зокрема, отримані дані створюють міцну основу для використання MXenes, які демонструють чудові фотоелектричні характеристики, у галузі оптоелектроніки.

# # # # # #

Цю роботу завершила команда ключової лабораторії нанофотоніки та пристроїв Хунань при Центральному південному університеті на чолі з професором Джун Хе. Команда виховала 5 молодих талантів національного рівня та 12 талантів провінційного рівня та самостійно створила систему вимірювання фотоелектронної спектроскопії з фемтосекундною роздільною здатністю за часом, тривимірною роздільною здатністю за обертанням та роздільною здатністю за енергію-імпульс.

Проф. Джун Він отримав ступінь доктора філософії. з Національного університету Сінгапуру в 2006 р. На знак визнання його досягнень він отримав нагороду Національного видатного молодіжного наукового фонду в 2012 р., а в 2016 р. був обраний почесним професором Фуронг провінції Хунань. Зараз він зосереджує свої дослідження на надшвидкісних явища та нелінійна оптика нанорозмірних матеріалів, а також фемтосекундне лазерне виготовлення мікронаноструктур і двовимірного матеріалу нейроморфного транзистора. Результатом його великої роботи в цій галузі стала публікація понад 240 статей у відомих міжнародних журналах, таких як Nature Commun. і фіз. Rev. Lett., з понад 6,700 цитатами.

Доктор Інвей Ван отримав ступінь доктора філософії. з Центрального південного університету в 2017 році. Згодом він пройшов аспірантуру в Шеньчженьському університеті, Цзінаньському університеті та Корейському університеті. Зараз він працює викладачем у Школі фізики та електроніки Центрального Південного університету, де зосереджує свої дослідження на нанофотоніці низькорозмірних матеріалів. На знак визнання його внеску в цю область у 2022 році він отримав нагороду Видатного молодіжного наукового фонду провінції Хунань.

####

Про Compuscript Ltd
Opto-Electronic Advances (OEA) — це щомісячний журнал SCI з відкритим доступом, який має значний вплив і має імпакт-фактор 8.933 (Journal Citation Reports for IF2021). З моменту запуску в березні 2018 року OEA було проіндексовано в базах даних SCI, EI, DOAJ, Scopus, CA та ICI, а редакційна рада розширилася до 36 членів із 17 країн і регіонів (середній h-індекс 49).

Журнал видається Інститутом оптики та електроніки Академії наук Китаю з метою надання платформи для дослідників, академіків, професіоналів, практиків і студентів для передачі та обміну знаннями у формі високоякісних емпіричних і теоретичних дослідницьких статей, що охоплюють теми оптики, фотоніки та оптоелектроніки.

Для отримання додаткової інформації натисніть тут

Контакти:
Конор Ловетт
ТОВ "Компускрипт"
Офіс: 353-614-75205

Авторське право © Compuscript Ltd

Якщо у вас є коментар, будь ласка Контакти нам.

Видавці випусків новин, а не 7th Wave, Inc. або Nanotechnology Now, несуть повну відповідальність за точність змісту.

Закладка:

Посилання

Wang YD, Wang YW, Dong YL, Zhou L, Kang JL та ін. 2D конструкція гетероструктури Nb2CTx MXene/MoS2 для модуляції нелінійного оптичного поглинання. Opto-Electron Adv 6, 220162 (2023). doi: 10.29026/oea.2023.220162 :

Новини преси

2 Розмірні матеріали

Дослідник Rensselaer використовує штучний інтелект для відкриття нових матеріалів для передових обчислень Тревор Роун використовує ШІ для ідентифікації двовимірних магнітів Ван-дер-Ваальса Травень 12th, 2023

За допомогою нового експериментального методу дослідники вперше досліджують спінову структуру в 2D-матеріалах: спостерігаючи спінову структуру в графені з «магічним кутом», команда вчених під керівництвом дослідників Університету Брауна знайшла обхідний шлях для давно існуючої перешкоди в цій галузі. з двох Травень 12th, 2023

Новини та інформація

Дослідження демонструє, що Ta2NiSe5 не є екситонним ізолятором. Міжнародна дослідницька група вирішує десятирічну дискусію навколо мікроскопічного походження порушення симетрії в об’ємному кристалі Травень 12th, 2023

Прямий лазерний запис гнучких датчиків вологості на основі Ga2O3/рідкого металу Травень 12th, 2023

Нова конструкція перовскітної електрохімічної комірки для випромінювання та виявлення світла Травень 12th, 2023

Видавнича група Optica Publishing Group оголошує про запуск Optica Quantum: нового онлайн-журналу Gold Open Access для швидкого поширення результативних досліджень у багатьох секторах квантової інформаційної науки та технологій. Травень 12th, 2023

Можливе майбутнє

Дослідники з Purdue виявили, що надпровідні зображення насправді є тривимірними фракталами, керованими безладдям Травень 12th, 2023

Прямий лазерний запис гнучких датчиків вологості на основі Ga2O3/рідкого металу Травень 12th, 2023

Технологія чіпів

Прямий лазерний запис гнучких датчиків вологості на основі Ga2O3/рідкого металу Травень 12th, 2023

Оптичні обчислення / Фотонні обчислення

Прямий лазерний запис гнучких датчиків вологості на основі Ga2O3/рідкого металу Травень 12th, 2023

Ефективні тепловідвідні перовскітні лазери з використанням алмазної підкладки з високою теплопровідністю Квітень 14th, 2023

Тепер дані можна обробляти зі швидкістю світла! Квітень 14th, 2023

Відкриття

Прямий лазерний запис гнучких датчиків вологості на основі Ga2O3/рідкого металу Травень 12th, 2023

Сповіщення

Прямий лазерний запис гнучких датчиків вологості на основі Ga2O3/рідкого металу Травень 12th, 2023

Інтерв’ю / Відгуки про книги / Есе / Доповіді / Підкасти / Журнали / Доповіді / Плакати

Прямий лазерний запис гнучких датчиків вологості на основі Ga2O3/рідкого металу Травень 12th, 2023

Фотоніка / Оптика / Лазери

Прямий лазерний запис гнучких датчиків вологості на основі Ga2O3/рідкого металу Травень 12th, 2023

Тепер дані можна обробляти зі швидкістю світла! Квітень 14th, 2023

Розповсюдження контенту та PR на основі SEO. Отримайте посилення сьогодні.
PlatoAiStream. Web3 Data Intelligence. Розширення знань. Доступ тут.
Карбування майбутнього з Адріенн Ешлі. Доступ тут.
Купуйте та продавайте акції компаній, які вийшли на IPO, за допомогою PREIPO®. Доступ тут.
джерело: http://www.nanotech-now.com/news.cgi?story_id=57338

Часова мітка: Травень 16, 2023