Erer Покращений аналіз дефектів напівпровідників у SEM-зображеннях за допомогою SEMI-PointRenderer

Перевидано Платоном

читають: 0

Дефекти напівпровідників є важливим фактором у виробництві електронних компонентів. Дефекти можуть призвести до зниження продуктивності, збільшення витрат і навіть виходу з ладу продукту. Таким чином, важливо точно виявляти та аналізувати дефекти напівпровідників, щоб забезпечити якість кінцевого продукту.

Одним із способів аналізу дефектів напівпровідників є використання зображень скануючої електронної мікроскопії (SEM). SEM-зображення забезпечують детальний огляд поверхні напівпровідникового приладу, дозволяючи виявляти та аналізувати дефекти. Однак традиційні методи аналізу SEM-зображень займають багато часу та трудомісткість.

Щоб вирішити цю проблему, дослідники розробили новий метод під назвою SEMI-PointRenderer. У цьому методі використовується поєднання комп’ютерного зору та методів машинного навчання для автоматичного виявлення та аналізу дефектів напівпровідників на SEM-зображеннях. Система здатна ідентифікувати різні типи дефектів, такі як тріщини, порожнечі та інші аномалії. Він також може вимірювати розмір і форму дефектів, а також їх розташування на поверхні пристрою.

Показано, що використання SEMI-PointRenderer підвищує точність і швидкість аналізу дефектів порівняно з традиційними методами. Це може призвести до покращення контролю якості та зниження витрат, пов’язаних із виробництвом напівпровідників. Крім того, систему можна використовувати для виявлення потенційних джерел збою до випуску продукту, дозволяючи вживати проактивні коригувальні дії.

Загалом SEMI-PointRenderer забезпечує ефективний і точний спосіб аналізу напівпровідникових дефектів у SEM-зображеннях. Використовуючи цю систему, виробники можуть покращити якість своєї продукції та зменшити витрати, пов’язані з виробництвом.