Електрично перемикається анізотропне поширення поляритону в сегнетоелектричному напівпровіднику Ван-дер-Ваальса

Басов, Д. Н., Фоглер, М. М. і де Абахо, Ф. Дж. Поляритони в матеріалах Ван-дер-Ваальса. наука 354, aag1992 (2016).

Zhang, Q. та ін. Інтерфейсна нанооптика з поляритонами Ван-дер-Ваальса. природа 597, 187 – 195 (2021).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Low, T. et al. Поляритони в шаруватих двовимірних матеріалах. Нат. Матер. 16, 182 – 194 (2016).

Стаття  Google Scholar 

Fei, Z. та ін. Налаштування воріт графенових плазмонів, виявлені за допомогою інфрачервоного нанозображення. природа 487, 82 – 85 (2012).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Chen, J. та ін. Оптичне нанозображення графенових плазмонів, що перебудовуються затвором. природа 487, 77 – 81 (2012).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Dai, S. та ін. Перебудовувані фононні поляритони в атомарно тонких ван-дер-ваальсових кристалах нітриду бору. наука 343, 1125 – 1129 (2014).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Caldwell, JD та ін. Субдифракційні об’ємні поляритони в гексагональному нітриді бору природного гіперболічного матеріалу. Nat. Commun. 5, 5221 (2014).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Ху, Ф. та ін. Зображення екситон-поляритонного транспорту в MoSe₂ хвилеводів. Нац. Фотоніка 11, 356 – 360 (2017).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Fei, Z. та ін. Нанооптичне зображення WSe₂ хвилевідні моди, що виявляють світлоекситонні взаємодії. фіз. Преподобний Б. 94, 081402 (2016).

Стаття  Google Scholar 

Ma, W. та ін. Площинні анізотропні поляритони з наднизькими втратами в природному кристалі Ван-дер-Ваальса. природа 562, 557 – 562 (2018).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Чжен, З. та ін. Середньоінфрачервоний двовісний гіперболічний кристал Ван-дер-Ваальса. Наук. Адв. 5, eaav8690 (2019).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Martin, LW & Rappe, AM Тонкоплівкові сегнетоелектричні матеріали та їх застосування. Нац. Преподобний Матер. 2, 16087 (2016).

Стаття  Google Scholar 

Chang, K. та ін. Відкриття надійної сегнетоелектрики в площині в SnTe атомної товщини. наука 353, 274 – 278 (2016).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Higashitarumizu, N. та ін. Чисто площинна сегнетоелектрика в моношарі SnS при кімнатній температурі. Nat. Commun. 11, 2428 (2020).

Xiao, J. та ін. Власна двовимірна сегнетоелектрика з дипольним замиканням. Фіз. Преподобний Лет. 120, 227601 (2018).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Fei, Z. та ін. Сегнетоелектричне перемикання двовимірного металу. природа 560, 336 – 339 (2018).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Ву, М. Двовимірні сегнетоелектрики Ван-дер-Ваальса: наукові та технологічні можливості. ACS Nano 15, 9229 – 9237 (2021).

Стаття  Google Scholar 

Chang, K. та ін. Мікроскопічна маніпуляція сегнетоелектричними доменами в моношарах SnSe при кімнатній температурі. Нано Летт. 20, 6590 – 6597 (2020).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Fei, R., Kang, W. & Yang, L. Сегнетоелектрика та фазові переходи в моношарових монохалькогенідах групи IV. Фіз. Преподобний Лет. 117, 097601 (2016).

Стаття  Google Scholar 

Shi, G. & Kioupakis, E. Анізотропний спіновий транспорт і сильне поглинання видимого світла в кількох шарах SnSe і GeSe. Нано Летт. 15, 6926 – 6931 (2015).

Стаття  Google Scholar 

Мелендес, Дж. Дж., Гонсалес-Ромеро, Р. Л. та Антонеллі, А. Смуги квазічастинок і оптичні властивості SnSe на основі підходу ab initio. комп. Матер. Sci. 152, 107 – 112 (2018).

Стаття  Google Scholar 

Грюверман, А., Алекс, М. і Мейер, Д. Силова мікроскопія п’єзорефекту та нанофероїчні явища. Nat. Commun. 10, 1661 (2019).

Стаття  Google Scholar 

Keilmann, F. & Hillenbrand, R. Мікроскопія ближнього поля шляхом пружного розсіювання світла від кінчика. Філос. пер. R. Soc. А. 362, 787 – 805 (2004).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Чжао, Л.-Д. та ін. Наднизька теплопровідність і висока термоелектрична ефективність кристалів SnSe. природа 508, 373 – 377 (2014).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Nguyen, HT та ін. Температурна залежність діелектричної функції та критичних точок -SnS від 27 до 350 К. Sci. Представник. 10, 18396 (2020).

Beal, AR, Knights, JC & Liang, WY Спектри пропускання деяких дихалькогенідів перехідних металів. II. Група VIA: тригональна призматична координація. J. Phys. C. Фізика твердого тіла. 5, 3540 – 3551 (1972).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Schmidt, T., Lischka, K. & Zulehner, W. Залежність збудження від потужності фотолюмінесценції напівпровідників біля краю зони. Фіз. Преподобний Б 45, 8989 – 8994 (1992).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Cassabois, G., Valvin, P. & Gil, B. Гексагональний нітрид бору є напівпровідником з непрямою забороненою зоною. Нац. Фотоніка 10, 262 – 266 (2016).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Zhou, J., Zhang, S. & Li, J. Мартенситний фазовий перехід від нормального до топологічного ізолятора в монохалькогенідах групи IV під впливом світла. НПГ Азія Матер. 12, 2 (2020).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Ху, Ф. та ін. Зображення пропагативних екситонних поляритонів в атомно тонкому WSe₂ хвилеводів. фіз. Преподобний Б. 100, 121301 (2019).

Кокум А. Ф., Міранович А., Ліберато С. Д., Саваста С. і Норі Ф. Надсильний зв’язок між світлом і матерією. Нац. Rev. Phys. 1, 19 – 40 (2019).

Стаття  Google Scholar 

Luo, Y. та ін. In situ нанорозмірне зображення надграток муару в скручених гетероструктурах Ван-дер-Ваальса. Nat. Commun. 11, 4209 (2020).

Стаття  Google Scholar 

Rodrigo, D. та ін. Середньоінфрачервоне плазмонне біосенсорування з графеном. наука 349, 165 – 168 (2015).

Стаття  CAS  Google Scholar 

Autore, M. та ін. Нанорезонатори нітриду бору для фононно-посиленої молекулярної коливальної спектроскопії на межі сильного зв’язку. Світло. наук. Appl. 7, 17172 (2017).

Стаття  Google Scholar 

Hu, H. та ін. Далекопольна нанорозмірна інфрачервона спектроскопія коливальних відбитків молекул із графеновими плазмонами. Nat. Commun. 7, 12334 (2016).

Стаття  CAS  Google Scholar