Комплексне дослідження виявлення дефектів напівпровідників на SEM-зображеннях за допомогою SEMI-PointRend
Виявлення дефектів eringSemiconductor є критично важливим процесом у виробництві інтегральних схем. Важливо виявити будь-які дефекти в процесі виробництва, щоб переконатися, що кінцевий продукт має високу якість і відповідає необхідним стандартам. Використання зображень скануючої електронної мікроскопії (SEM) для виявлення дефектів стає все більш популярним завдяки його здатності надавати детальні зображення поверхні напівпровідника. Однак традиційні методи аналізу зображень SEM обмежені в їхній здатності точно виявляти дефекти. Нещодавно була розроблена нова техніка під назвою SEMI-PointRendering.