NEC розробляє високошвидкісний підсилювач потужності високої потужності для мереж наступного покоління

NEC розробляє високошвидкісний підсилювач потужності високої потужності для мереж наступного покоління

Мітка часу: 19 січня 2023 р., 1:56 ранку
Вихідний вузол: 1907578

ТОКІО, 19 січня 2023 р. – (JCN Newswire) – Корпорація NEC (NEC; TSE: 6701) розробила підсилювач потужності, який слугуватиме ключовим пристроєм для мобільного доступу та обладнання бездротового зв’язку переднього/ретрансляційного зв’язку для забезпечення високошвидкісного, високого -ємність зв'язку для мереж 5G Advanced і 6G. У цьому підсилювачі потужності використовується технологія GaAs, яка може масово вироблятися, і досягла найвищої у світі вихідної потужності (*) 10 мВт у діапазоні 150 ГГц. Користуючись цим, NEC прагне прискорити як розробку обладнання, так і соціальне впровадження.

Нещодавно розроблений підсилювач потужності діапазону D

Очікується, що 5G Advanced і 6G забезпечать високошвидкісний зв’язок високої пропускної здатності 100 Гбіт/с, що в 10 разів перевищує швидкість поточного 5G. Цього можна ефективно досягти шляхом використання субтерагерцового діапазону (від 100 до 300 ГГц), який може забезпечити широку смугу частот 10 ГГц або більше. Зокрема, очікується швидка комерціалізація діапазону D (від 130 до 174.8 ГГц), який на міжнародному рівні призначений для фіксованого бездротового зв’язку.

NEC продовжує досягати прогресу в технологічному розвитку, використовуючи свої знання про діапазони високих частот, отримані шляхом розробки та експлуатації радіообладнання для базових станцій 5G і PASOLINK, ультракомпактної мікрохвильової системи зв’язку, яка з’єднує базові станції через бездротовий зв’язок.

Нещодавно розроблений підсилювач потужності використовує комерційно доступний 0.1-мкм арсенід галію (GaAs) псевдоморфний транзистор з високою мобільністю електронів (pHEMT). Порівняно з CMOS і кремнієвим германієм (SiGe), що використовуються для субтерагерцового діапазону, GaAs pHEMT мають високу робочу напругу та нижчу початкову вартість для масового виробництва.

З точки зору конструкції схеми, цей підсилювач потужності усуває фактори, які погіршують продуктивність у діапазоні високих частот, і використовує мережеву конфігурацію, яка відповідає імпедансу, придатну для високої вихідної потужності. Це призвело до досягнення відмінних високочастотних характеристик між 110 ГГц і 150 ГГц, а також найвищої в світі вихідної потужності для GaAs pHEMT.

На додаток до реалізації високопродуктивного недорогого обладнання радіозв’язку вище 100 ГГц, цей підсилювач потужності прискорить соціальне впровадження 5G Advanced і 6G.

У майбутньому NEC продовжить розробку технологій, спрямованих на досягнення високошвидкісного, високопродуктивного та економічно ефективного бездротового зв’язку для 5G Advanced і 6G.

Це дослідження підтримано Міністерством внутрішніх справ і комунікацій Японії (JPJ000254).

NEC оголосить додаткові подробиці щодо цієї технології на Тематичній конференції IEEE з підсилювачів радіочастот/мікрохвильової потужності для радіо та бездротових додатків (PAWR2023), міжнародній конференції, яка запланована на 22 січня 2023 року в Лас-Вегасі, штат Невада, США.

(*) Згідно з дослідженням NEC станом на 19 січня 2023 року.

Про корпорацію NEC

Корпорація NEC зарекомендувала себе як лідер у сфері інтеграції ІТ та мережевих технологій, просуваючи декларацію бренду «Оркестрування яскравішого світу». NEC дозволяє підприємствам і громадам адаптуватися до швидких змін, що відбуваються як у суспільстві, так і на ринку, оскільки забезпечує соціальні цінності безпеки, безпеки, справедливості та ефективності для сприяння більш стійкому світу, де кожен має шанс повністю реалізувати свій потенціал. Для отримання додаткової інформації відвідайте NEC на сайті www.nec.com.

Часова мітка:

Більше від JCN Newswire