Электрически переключаемое распространение анизотропных поляритонов в сегнетоэлектрическом ван-дер-ваальсовом полупроводнике

Басов Д.Н., Фоглер М.М., де Абахо Ф.Дж.Г. Поляритоны в ван-дер-ваальсовых материалах. Наука 354, aag1992 (2016).

Чжан, К. и др. Интерфейс нанооптики с ван-дер-ваальсовыми поляритонами. природа 597, 187-195 (2021).

Статья  CAS  Google Scholar 

Лоу, Т. и соавт. Поляритоны в слоистых двумерных материалах. Туземный Mater. 16, 182-194 (2016).

Статья  Google Scholar 

Фей, З. и др. Настройка затвора графеновых плазмонов, обнаруженная с помощью инфракрасного наноизображения. природа 487, 82-85 (2012).

Статья  CAS  Google Scholar 

Чен Дж. и соавт. Оптическое наноизображение графеновых плазмонов с настройкой затвора. природа 487, 77-81 (2012).

Статья  CAS  Google Scholar 

Дай, С. и др. Перестраиваемые фононные поляритоны в атомарно тонких ван-дер-ваальсовых кристаллах нитрида бора. Наука 343, 1125-1129 (2014).

Статья  CAS  Google Scholar 

Колдуэлл, Дж. Д. и соавт. Субдифракционные ограниченные по объему поляритоны в природном гиперболическом материале гексагональном нитриде бора. Туземный Commun. 5, 5221 (2014).

Статья  CAS  Google Scholar 

Ху, Ф. и др. Визуализация экситон-поляритонного транспорта в MoSe₂ волноводы. Туземный Photonics 11, 356-360 (2017).

Статья  CAS  Google Scholar 

Фей, З. и др. Нанооптическая визуализация WSe₂ волноводные моды, обнаруживающие взаимодействие света с экситоном. Phys. Преподобный Б. 94, 081402 (2016).

Статья  Google Scholar 

Ма, В. и др. Плоскостные анизотропные поляритоны со сверхмалыми потерями в природном ван-дер-ваальсовом кристалле. природа 562, 557-562 (2018).

Статья  CAS  Google Scholar 

Чжэн, З. и др. Двухосный гиперболический кристалл Ван-дер-Ваальса среднего инфракрасного диапазона. науч. Доп. 5, eaav8690 (2019).

Статья  CAS  Google Scholar 

Мартин Л.В. и Раппе А.М. Тонкопленочные сегнетоэлектрические материалы и их применение. Туземный Преподобный Матер. 2, 16087 (2016).

Статья  Google Scholar 

Чанг, К. и др. Открытие надежного плоскостного сегнетоэлектричества в SnTe атомарной толщины. Наука 353, 274-278 (2016).

Статья  CAS  Google Scholar 

Higashitarumizu, N. et al. Чисто плоскостное сегнетоэлектричество в монослое SnS при комнатной температуре. Туземный Commun. 11, 2428 (2020).

Сяо, Дж. и соавт. Собственное двумерное сегнетоэлектричество с дипольной синхронизацией. Phys. Преподобный Летт. 120, 227601 (2018).

Статья  CAS  Google Scholar 

Fei, Z. et al. Сегнетоэлектрическое переключение двумерного металла. природа 560, 336-339 (2018).

Статья  CAS  Google Scholar 

Ву, М. Двумерные ван-дер-ваальсовые сегнетоэлектрики: научные и технологические возможности. ACS Nano 15, 9229-9237 (2021).

Статья  Google Scholar 

Чанг, К. и др. Микроскопические манипуляции с сегнетоэлектрическими доменами в монослоях SnSe при комнатной температуре. Нано Летт. 20, 6590-6597 (2020).

Статья  CAS  Google Scholar 

Фей Р., Канг В. и Ян Л. Сегнетоэлектричество и фазовые переходы в монослойных монохалькогенидах IV группы. Phys. Преподобный Летт. 117, 097601 (2016).

Статья  Google Scholar 

Ши, Г. и Киупакис, Э. Анизотропный перенос спина и сильное поглощение видимого света в малослойных SnSe и GeSe. Нано Летт. 15, 6926-6931 (2015).

Статья  Google Scholar 

Мелендес, Дж. Дж., Гонсалес-Ромеро, Р. Л. и Антонелли, А. Полосы квазичастиц и оптические свойства SnSe из неэмпирического подхода. Комп. Матер. науч. 152, 107-112 (2018).

Статья  Google Scholar 

Груверман А., Алекс М. и Мейер Д. Силовая микроскопия пьезоотклика и явления наноферроиков. Туземный Commun. 10, 1661 (2019).

Статья  Google Scholar 

Кейлманн, Ф. и Хилленбранд, Р. Микроскопия ближнего поля с помощью упругого рассеяния света от наконечника. Филос. Транс. Р. Соц. А. 362, 787-805 (2004).

Статья  CAS  Google Scholar 

Чжао, Л.-Д. и другие. Сверхнизкая теплопроводность и высокая термоэлектрическая добротность в кристаллах SnSe. природа 508, 373-377 (2014).

Статья  CAS  Google Scholar 

Нгуен, Х.Т. и соавт. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости и критических точек -SnS от 27 до 350 К. науч. представитель. 10, 18396 (2020).

Бил, А. Р., Найтс, Дж. К. и Лян, В. Я. Спектры пропускания некоторых дихалькогенидов переходных металлов. II. Группа VIA: тригональная призматическая координация. Дж. Физ. C. Физика твердого тела. 5, 3540-3551 (1972).

Статья  CAS  Google Scholar 

Шмидт, Т., Лишка, К. и Зуленер, В. Зависимость мощности возбуждения фотолюминесценции полупроводников на краю зоны. Phys. Ред. Б 45, 8989-8994 (1992).

Статья  CAS  Google Scholar 

Cassabois, G., Valvin, P. & Gil, B. Гексагональный нитрид бора является полупроводником с непрямой запрещенной зоной. Туземный Photonics 10, 262-266 (2016).

Статья  CAS  Google Scholar 

Чжоу Дж., Чжан С. и Ли Дж. Мартенситный фазовый переход от нормального к топологическому изолятору в монохалькогенидах группы IV, управляемый светом. НПГ Азия Матер. 12, 2 (2020).

Статья  CAS  Google Scholar 

Ху, Ф. и др. Визуализация поляритонов распространяющихся экситонов в атомарно тонком WSe₂ волноводы. Phys. Преподобный Б. 100, 121301 (2019).

Кокум А.Ф., Миранович А., Либерато С.Д., Саваста С. и Нори Ф. Сверхсильная связь между светом и материей. Нац. Преподобный физ. 1, 19-40 (2019).

Статья  Google Scholar 

Луо, Ю. и др. In situ наномасштабное изображение муаровых сверхрешеток в скрученных ван-дер-ваальсовых гетероструктурах. Туземный Commun. 11, 4209 (2020).

Статья  Google Scholar 

Родриго, Д. и др. Плазмонное биозондирование в среднем инфракрасном диапазоне с графеном. Наука 349, 165-168 (2015).

Статья  CAS  Google Scholar 

Авторе, М. и др. Нанорезонаторы из нитрида бора для спектроскопии молекулярных колебаний с фононным усилением на пределе сильной связи. Свет. Sci. Appl. 7, 17172 (2017).

Статья  Google Scholar 

Ху, Х. и др. Наноразмерная инфракрасная спектроскопия в дальнем поле колебательных отпечатков молекул с графеновыми плазмонами. Туземный Commun. 7, 12334 (2016).

Статья  CAS  Google Scholar