NEC desenvolve amplificador de potência de alta velocidade e alta capacidade para redes de próxima geração

TÓQUIO, 19 de janeiro de 2023 - (JCN Newswire) - A NEC Corporation (NEC; TSE: 6701) desenvolveu um amplificador de potência que servirá como um dispositivo chave para acesso móvel e equipamentos de comunicação sem fio fronthaul/backhaul para permitir alta velocidade, alta -capacidade de comunicação para redes 5G Advanced e 6G. Este amplificador de potência usa tecnologia GaAs que pode ser produzida em massa e alcançou a potência de saída mais alta do mundo(*) de 10 mW na banda de 150 GHz. Tirando partido disto, a NEC pretende acelerar o desenvolvimento de equipamentos e a implementação social.

Amplificador de potência de banda D recém-desenvolvido

Espera-se que o 5G Advanced e o 6G forneçam comunicações de alta velocidade e alta capacidade de 100 Gbps, equivalente a 10 vezes a velocidade do 5G atual. Isso pode ser alcançado com eficiência por meio do uso da banda subterahertz (100 a 300 GHz), que pode fornecer uma ampla largura de banda de 10 GHz ou mais. Em particular, espera-se a comercialização antecipada da banda D (130 a 174.8 GHz), alocada internacionalmente para comunicações fixas sem fio.

A NEC continua a fazer avanços no desenvolvimento tecnológico, alavancando seu conhecimento de bandas de alta frequência cultivadas por meio do desenvolvimento e operação de equipamentos de rádio para estações base 5G e PASOLINK, um sistema de comunicação de micro-ondas ultracompacto que conecta estações base via comunicação sem fio.

O amplificador de potência recém-desenvolvido usa um processo pseudomórfico de transistor de alta mobilidade de elétrons (pHEMT) pseudomórfico de 0.1 μm de arsenieto de gálio (GaAs). Em comparação com o CMOS e o germânio de silício (SiGe) usados ​​para a banda subterahertz, os GaAs pHEMTs têm alta tensão de operação e custos iniciais mais baixos para produção em massa.

Em termos de design de circuito, este amplificador de potência elimina fatores que degradam o desempenho na banda de alta frequência e utiliza uma configuração de rede de correspondência de impedância adequada para alta potência de saída. Isso resultou na obtenção de excelentes características de alta frequência entre 110 GHz e 150 GHz, bem como na maior potência de saída do mundo para um GaAs pHEMT.

Além da realização de equipamentos de comunicação de rádio de alto desempenho e baixo custo acima de 100 GHz, este amplificador de potência acelerará a implementação social de 5G Advanced e 6G.

No futuro, a NEC continuará desenvolvendo tecnologias destinadas a alcançar comunicações sem fio de alta velocidade, alta capacidade e econômicas para 5G Advanced e 6G.

Esta pesquisa é apoiada pelo Ministério de Assuntos Internos e Comunicações do Japão (JPJ000254).

A NEC anunciará mais detalhes sobre essa tecnologia na IEEE Topical Conference on RF/Microwave Power Amplifiers for Radio and Wireless Applications (PAWR2023), uma conferência internacional programada para ser realizada em Las Vegas, Nevada, EUA, a partir de 22 de janeiro de 2023.

(*) De acordo com pesquisa do NEC em 19 de janeiro de 2023.

Sobre a NEC Corporation

A NEC Corporation estabeleceu-se como líder na integração de tecnologias de TI e de rede, ao mesmo tempo que promove a declaração da marca “Orquestrando um mundo mais brilhante”. A NEC permite que as empresas e as comunidades se adaptem às rápidas mudanças que ocorrem tanto na sociedade como no mercado, uma vez que prevê os valores sociais de segurança, proteção, justiça e eficiência para promover um mundo mais sustentável onde todos tenham a oportunidade de atingir o seu pleno potencial. Para obter mais informações, visite a NEC em www.nec.com.

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• Fonte: https://www.jcnnewswire.com/pressrelease/80564/3/